IRFIBF30G
Транзистор полевой
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 Ohm @ 1.1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 78nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| Power - Max | 35W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack, Isolated |
| Корпус | TO-220-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFIBF30G (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet (vdss=900v, Rds (on) =3.7ohm, Id=1.9a)
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CBB-81 2200PF 2000 V 10% | 49 | 18.15 | ||||||
| CBB-81 2200PF 2000 V 5% |
|
|
||||||
 |
GP10M | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
GP10M | TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF. |
|
|
||||
|
|
GP10M |
|
|
|||||
| TCET1103G | VISHAY |
|
|
|||||
| TCET1103G | VISHAY |
|
|
|||||
| TCET1103G |
|
|
||||||
| TCET1103G | 1 |
|
|
|||||
| Y5P-680ПФ 2К (10%) |
|
|
