IXFK34N80
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HiPerFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 500mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 34A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 270nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 7500pF @ 25V |
| Power - Max | 560W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-264AA |
| Корпус | TO-264AA |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N6520TA | FAIR |
|
|
|||||
| 2N6520TA | SAMSUNG |
|
|
|||||
| 2N6520TA |
|
160.00 | ||||||
| 2N6520TA | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| 2N6520TA | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| 2N6520TA | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| 2N6520TA | ONS |
|
|
|||||
 |
HA17358 | HITACHI SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
HA17358 |
|
|
|||||
|
|
HA17358 | HITACHI SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
HA17358 |
|
|
|||||
|
|
HA17358 | HITACHI |
|
|
||||
|
|
HA17358 | HIT |
|
|
||||
|
|
HA17358 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 349 |
|
||||
| MMBD352LT3 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MMBD352LT3 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MMBT6520LT1 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MMBT6520LT1 | 8 | 22.68 | ||||||
| MMBT6520LT1 | ON SEMICONDUCTOR | 774 |
|
|||||
 |
ГУ-81М 85-87 ГГ |
|
3 697.48 |
