Версия для печати
Технические характеристики MC33171DG

Корпус	8-SO
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	3 V ~ 44 V, ±1.5 V ~ 22 V
Ток выходной / канал	27mA
Ток выходной	220µA
Напряжение входного смещения	2000µV
Ток - входного смещения	20nA
Полоса пропускания	1.8MHz
Скорость нарастания выходного напряжения	2.1 V/µs
Число каналов	1
Тип усилителя	General Purpose
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	14 820	3.62
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	11 442	4.02
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	712	13.27
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	2 052	4.24
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...		2 000	2.00  >100 шт.   1.00
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	51 710	0.65  >1000 шт.   0.13
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	2.00  >100 шт.   1.00
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 580	1.77
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KEEN SIDE	16 032	1.50  >100 шт.   0.75
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MERRYELC	2 000	1.96  >100 шт.   0.98
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...		6 995	1.79
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	FAIR
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	ON SEMICONDUCTOR	400	17.96
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	INFINEON
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	PHILIPS
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	NXP
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	FAIRCHILD	552	7.42
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	FAIRCHILD	41 634
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	INFINEON
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	NXP	140
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	PHILIPS	113
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	ONS
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	Fairchild Semiconductor
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	FSC
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	КИТАЙ
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	DI
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	DIODES
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	NO TRADEMARK
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	PANJIT
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	LRC
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	ONS-FAIR
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	YJ	137 320	1.90  >100 шт.   0.95
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	HOTTECH	35	1.05
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	KLS
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	YANGJIE
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	YANGJIE (YJ)
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	GALAXY ME
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	1
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	JSCJ	56 701	1.08
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	SUNTAN
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	SHIKUES
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	YANGZHOU YANGJIE
		BSS123		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...	KEEN SIDE	9 448	1.98  >100 шт.   0.99
		HGT1S20N60C3S			FAIR
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	FAIR
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	MOTOROLA
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ST MICROELECTRONICS
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	FAIRCHILD
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	FAIRCHILD
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	MOTOROLA
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	STMicroelectronics
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	МАРОККО
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ON SEMIC
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ИНДИЯ
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ST MICROELECTRO
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	STMICROELECTR
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...			24.72
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	HOTTECH	35	6.62
		MMBT6520LT1			ON SEMICONDUCTOR
		MMBT6520LT1				8	22.68
		MMBT6520LT1			ON SEMICONDUCTOR	774

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"