IRG4PC50F

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRG4PC50F		441.24

Версия для печати

Технические характеристики IRG4PC50F

Power - Max	200W
Current - Collector (Ic) (Max)	70A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.6V @ 15V, 39A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AD)
Корпус	TO-247AD

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRG4PC50FD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором))

Insulated Gate Bipolar Transistor

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRG4PC50F datasheet
214.08Kb
10стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC3997	Биполярный транзистор NPN hi-res (1500V, 20A, 250W)	SANYO
2SC3997	Биполярный транзистор NPN hi-res (1500V, 20A, 250W)			297.88
2SC3997	Биполярный транзистор NPN hi-res (1500V, 20A, 250W)	SAN
2SC3997	Биполярный транзистор NPN hi-res (1500V, 20A, 250W)	США
2SC3997	Биполярный транзистор NPN hi-res (1500V, 20A, 250W)	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
2SC4237	Биполярный транзистор NPN 1200V, 10A, 150W, 8MHz, Tf<300nS	CHINA
2SC4237	Биполярный транзистор NPN 1200V, 10A, 150W, 8MHz, Tf<300nS	SHIN
2SC4237	Биполярный транзистор NPN 1200V, 10A, 150W, 8MHz, Tf<300nS			481.12
2SC4237	Биполярный транзистор NPN 1200V, 10A, 150W, 8MHz, Tf<300nS	UNKNOWN
2SC4237	Биполярный транзистор NPN 1200V, 10A, 150W, 8MHz, Tf<300nS	КИТАЙ
2SC4237	Биполярный транзистор NPN 1200V, 10A, 150W, 8MHz, Tf<300nS	ISC
2SC4237	Биполярный транзистор NPN 1200V, 10A, 150W, 8MHz, Tf<300nS	ISCSEMI
CBB61 25UF 450V (МБГЧ)				456.44
CBB61 25UF 450V (МБГЧ)				456.44
КТ961
МЛТ-2-10 КОМ-10%			62	15.12