|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
CC1206ZKY5V8BB106 |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ 25 В
|
YAGEO
|
16 733
|
1.95
|
|
|
|
CC1206ZKY5V8BB106 |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ 25 В
|
|
|
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
MIC
|
9 862
|
3.85
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
YJ
|
196 618
|
1.82
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
FSC
|
|
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
YT
|
|
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
ONS
|
7 004
|
14.81
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
|
20 490
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
GALAXY ME
|
7 204
|
8.78
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
HOTTECH
|
130 485
|
1.02
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
DIOTEC
|
15 996
|
6.82
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
YANGJIE
|
40 000
|
2.52
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
SEP
|
312
|
1.34
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
LGE
|
|
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
KLS
|
184
|
4.13
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
JSCJ
|
38 684
|
1.86
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
MDD
|
37 367
|
1.34
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
RUME
|
|
|
|
|
|
MB6S |
|
Миниатюрный диодный мост (600В, 0.5А, smd, RM=2.5mm) аналог B6S Vishay
|
TRR
|
7 200
|
1.02
|
|
|
|
STM32L052K8T6 |
|
Микроконтроллер c ультранизким потреблением 32 МГц, ядро Cortex-M0+;
|
ST MICROELECTRONICS
|
198
|
591.33
|
|
|
|
STM32L052K8T6 |
|
Микроконтроллер c ультранизким потреблением 32 МГц, ядро Cortex-M0+;
|
|
|
|
|
|
|
STM32L052K8T6 |
|
Микроконтроллер c ультранизким потреблением 32 МГц, ядро Cortex-M0+;
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
451
|
|
|