LM2575S-12
|
|
Версия для печати
| Корпус | TO-263-5 |
| Корпус (размер) | TO-263-6, D²Pak (5 leads + Tab), TO-263BA |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Напряжение входное | 4 V ~ 40 V |
| Частота переключения | 52kHz |
| Ток выходной | 1A |
| Напряжение выходное | 12V |
| Число выходов | 1 |
| Synchronous Rectifier | Нет |
| Внутренняя коммутация | Да |
| Тип | Step-Down (Buck) |
| Серия | SIMPLE SWITCHER® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
LM2575 Simple Switcher 1a Step-down Voltage Regulator Также в этом файле: LM2575S-12
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRFB260N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFB260N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET |
|
250.56 | ||
|
|
|
IRFB260N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRFB260N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRFB260N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | UMW-YOUTAI |
|
|
|
 |
|
LA4597 |
|
Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом) | SANYO |
|
|
|
|
|
|
LA4597 |
|
Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом) | 1 | 255.30 | ||
|
|
|
LA4597 |
|
Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом) | SAN |
|
|
|
|
|
|
LA4597 |
|
Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом) | ГЕРМАНИЯ |
|
|
|
|
|
|
LA4597 |
|
Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом) | 1 |
|
|
|
|
|
|
LA4597 |
|
Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом) | 4-7 НЕДЕЛЬ | 785 |
|
|
| LM2575S-5.0 TO-263-5 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM2575S-5.0 TO-263-5 |
|
|
||||||
| TCA0372DP1G |
|
ИМС | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| TCA0372DP1G |
|
ИМС |
|
109.20 | ||||
| TCA0372DP1G |
|
ИМС | ONS | 248 | 197.04 | |||
| TCA0372DP1G |
|
ИМС | ON SEMIC |
|
|
|||
| TCA0372DP1G |
|
ИМС | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||
| TCA0372DP1G |
|
ИМС | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| TCA0372DP1G |
|
ИМС | 4-7 НЕДЕЛЬ | 260 |
|
|||
| ULN2003 D16 | UTC |
|
|
