PS2501L-1-E3

Версия для печати

Технические характеристики PS2501L-1-E3

Корпус (размер)	4-SMD Gull Wing
Тип входа	DC
Серия	NEPOC
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Количество каналов	1
Voltage - Isolation	5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min)	80% @ 5mA
Current Transfer Ratio (Max)	600% @ 5mA
Напряжение выходное	80V
Ток выходной / канал	50mA
Current - DC Forward (If)	80mA
Vce Saturation (Max)	300mV
Тип выхода	Transistor
Тип монтажа	Поверхностный
Output Type	Transistor

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRFB260N	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFB260N	Транзистор полевой N-канальный MOSFET			250.56
IRFB260N	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	МЕКСИКА
IRFB260N	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	INFINEON
IRFB260N	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	UMW-YOUTAI
LA4597	Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом)	SANYO
LA4597	Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом)		1	255.30
LA4597	Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом)	SAN
LA4597	Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом)	ГЕРМАНИЯ
LA4597	Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом)	1
LA4597	Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом)	4-7 НЕДЕЛЬ	662
LM2575S-5.0 TO-263-5		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM2575S-5.0 TO-263-5
TCA0372DP1G	ИМС	ON SEMICONDUCTOR
TCA0372DP1G	ИМС			109.20
TCA0372DP1G	ИМС	ONS	109	168.00
TCA0372DP1G	ИМС	ON SEMIC
TCA0372DP1G	ИМС	ON SEMICONDUCTO
TCA0372DP1G	ИМС	ONSEMICONDUCTOR
TCA0372DP1G	ИМС	4-7 НЕДЕЛЬ	514
ULN2003 D16		UTC