| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
CC0603ZRY5V9BB103 |
|
Керамический конденсатор 0.01 мкФ, 50 В, +80/-20%
|
YAGEO
|
67 627
|
0.90
>1000 шт. 0.18
|
|
|
|
|
CC0603ZRY5V9BB103 |
|
Керамический конденсатор 0.01 мкФ, 50 В, +80/-20%
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
CC0603ZRY5V9BB103 |
|
Керамический конденсатор 0.01 мкФ, 50 В, +80/-20%
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
CC0603ZRY5V9BB103 |
|
Керамический конденсатор 0.01 мкФ, 50 В, +80/-20%
|
|
|
|
|
|
|
|
G3VM-601BY |
|
|
OMRON
|
|
|
|
|
|
|
G3VM-601BY |
|
|
Omron Electronics Inc-EMC Div
|
|
|
|
|
|
|
G3VM-601BY |
|
|
|
|
|
|
|
|
 |
PCF8583T |
|
Часы реального времени+статич. ОЗУ (256 х 8bit, I2C-интерфейс, Vcc=2.5-6V, -40 to +85C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PCF8583T |
|
Часы реального времени+статич. ОЗУ (256 х 8bit, I2C-интерфейс, Vcc=2.5-6V, -40 to +85C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
PCF8583T |
|
Часы реального времени+статич. ОЗУ (256 х 8bit, I2C-интерфейс, Vcc=2.5-6V, -40 to +85C)
|
|
3
|
325.08
|
|
|
|
|
PCF8583T |
|
Часы реального времени+статич. ОЗУ (256 х 8bit, I2C-интерфейс, Vcc=2.5-6V, -40 to +85C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PCF8583T |
|
Часы реального времени+статич. ОЗУ (256 х 8bit, I2C-интерфейс, Vcc=2.5-6V, -40 to +85C)
|
PHILIPS
|
213
|
|
|
|
|
|
PCF8583T |
|
Часы реального времени+статич. ОЗУ (256 х 8bit, I2C-интерфейс, Vcc=2.5-6V, -40 to +85C)
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
PCF8583T |
|
Часы реального времени+статич. ОЗУ (256 х 8bit, I2C-интерфейс, Vcc=2.5-6V, -40 to +85C)
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
PCF8583T |
|
Часы реального времени+статич. ОЗУ (256 х 8bit, I2C-интерфейс, Vcc=2.5-6V, -40 to +85C)
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
PCF8583T |
|
Часы реального времени+статич. ОЗУ (256 х 8bit, I2C-интерфейс, Vcc=2.5-6V, -40 to +85C)
|
|
|
|
|
|
|
|
PCF8583T |
|
Часы реального времени+статич. ОЗУ (256 х 8bit, I2C-интерфейс, Vcc=2.5-6V, -40 to +85C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
STP16CP05TTR |
|
|
|
|
1 040.00
|
|
|
|
|
STP16CP05TTR |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STP16CP05TTR |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STP16CP05TTR |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
|
585
|
22.08
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
КРЕМНИЙ
|
480
|
32.79
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
БРЯНСК
|
2 395
|
33.48
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ЭЛЬТАВ
|
3 297
|
14.88
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
257
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
3194
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
4316
|
|
|
|
Версия для печати
