| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0603 1.8PF 0.1PF 50V -55…+125C |
|
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
0603 1.8PF 0.1PF 50V -55…+125C |
|
|
|
|
|
|
|
|
CC0805KKX7R8BB105 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В
|
|
32
|
5.92
|
|
|
|
CC0805KKX7R8BB105 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В
|
YAGEO
|
135 941
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
CC0805KKX7R8BB105 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805KKX7R8BB105 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805KKX7R8BB105 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
CC0805KKX7R8BB105 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В
|
СКЛАД
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SILAB
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
|
3 828
|
191.39
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SILICON LABS
|
2 068
|
216.97
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SLAB
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SILICON LABS
|
5 587
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
Silicon Laboratories Inc
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SILICONLABS
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SLB
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
1
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
330
|
|
|
|
|
|
CRCW040210K0FKED |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
CRCW040210K0FKED |
|
|
VISHAY
|
25 896
|
|
|
|
|
|
CRCW040210K0FKED |
|
|
Vishay/Dale
|
|
|
|
|
|
|
CRCW040210K0FKED |
|
|
|
60
|
|
|
|
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН
|
|
|
152.00
|
|
|
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
200
|
|
|