BC856BW

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
BC856BW (NXP.)	5 760	3-4 недели Цена по запросу
BC856BW (PHILIPS.)	12 444	3-4 недели Цена по запросу
BC856BW (YJ)	209 672	1.82 >100 шт. 0.91

Версия для печати

Технические характеристики BC856BW

Корпус	SC-70
Корпус (размер)	SC-70, SOT-323
Тип монтажа	Поверхностный
Frequency - Transition	100MHz
Power - Max	200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	220 @ 2mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	65V
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Transistor Type	PNP
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BC856AW (Биполярные PNP транзисторы)

PNP Silicon AF Transistors

Также в этом файле: BC856BW

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

BC856BW datasheet
276.4Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BAV99 SOT-23		TRR	14 400	1.20 >100 шт. 0.60
BC846BW	Транзистор биполярный 65В 100мA 200мВт	INFINEON
BC846BW	Транзистор биполярный 65В 100мA 200мВт	NXP	17 256	1.68
BC846BW	Транзистор биполярный 65В 100мA 200мВт	PHILIPS
BC846BW	Транзистор биполярный 65В 100мA 200мВт			3.96
BC846BW	Транзистор биполярный 65В 100мA 200мВт	NXP	6 136
BC846BW	Транзистор биполярный 65В 100мA 200мВт	PHILIPS	24 597
BC846BW	Транзистор биполярный 65В 100мA 200мВт	DIOTEC	7 215	3.19
BC846BW	Транзистор биполярный 65В 100мA 200мВт	YJ	568 017	1.92 >100 шт. 0.96
BC846BW	Транзистор биполярный 65В 100мA 200мВт	YANGJIE (YJ)
BC846BW	Транзистор биполярный 65В 100мA 200мВт	HOTTECH
BC846BW	Транзистор биполярный 65В 100мA 200мВт	1
BC846BW	Транзистор биполярный 65В 100мA 200мВт	YANGZHOU YANGJIE
BFR193E6327		INFINEON	800	25.83
BFR193E6327
BFR193E6327		INFINEON TECH
BFR193E6327		INFINEON
BGA6589				140.00
BGA6589		NXP
BGA6589		NXP
ERJ-2RKF91R0X		Panasonic - ECG
ERJ-2RKF91R0X