|
|
Версия для печати
| Корпус | SC-70 |
| Корпус (размер) | SC-70, SOT-323 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Power - Max | 200mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
|
BC846AW NPN Silicon AF Transistor (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage) Также в этом файле: BC846BW
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SK2605 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 5A, 45W | TOSHIBA |
|
|
||
|
|
2SK2605 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 5A, 45W | TOS |
|
|
||
|
|
2SK2605 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 5A, 45W |
|
88.56 | |||
| BAV99 SOT-23 | TRR | 14 400 |
1.08 >100 шт. 0.54 |
|||||
|
|
|
BC856BW |
|
Транзистор биполярный SMD | NXP |
|
|
|
|
|
|
BC856BW |
|
Транзистор биполярный SMD | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
BC856BW |
|
Транзистор биполярный SMD |
|
5.60 | ||
|
|
|
BC856BW |
|
Транзистор биполярный SMD | NXP | 5 760 |
|
|
|
|
|
BC856BW |
|
Транзистор биполярный SMD | PHILIPS | 12 444 |
|
|
|
|
|
BC856BW |
|
Транзистор биполярный SMD | YANGJIE (YJ) |
|
|
|
|
|
|
BC856BW |
|
Транзистор биполярный SMD | HOTTECH |
|
|
|
|
|
|
BC856BW |
|
Транзистор биполярный SMD | YJ | 173 504 |
1.58 >100 шт. 0.79 |
|
| BFR193E6327 | INFINEON | 800 | 24.80 | |||||
| BFR193E6327 |
|
|
||||||
| BFR193E6327 | INFINEON TECH |
|
|
|||||
| BFR193E6327 | INFINEON |
|
|
|||||
| BZX284-C16 | NXP |
|
|
|||||
| BZX284-C16 | NXP | 18 000 |
|