| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SB649A |
|
Высокочастотный биполярный PNP транзистор 20Вт, 160В, 1.5А, 140МГц
|
HIT
|
|
|
|
|
|
2SB649A |
|
Высокочастотный биполярный PNP транзистор 20Вт, 160В, 1.5А, 140МГц
|
|
30
|
32.76
|
|
|
|
2SB649A |
|
Высокочастотный биполярный PNP транзистор 20Вт, 160В, 1.5А, 140МГц
|
HITACHI
|
|
|
|
|
|
2SB649A |
|
Высокочастотный биполярный PNP транзистор 20Вт, 160В, 1.5А, 140МГц
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2SB649A |
|
Высокочастотный биполярный PNP транзистор 20Вт, 160В, 1.5А, 140МГц
|
ISC
|
|
|
|
|
|
|
B72220S0271K101 |
|
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
|
B72220S0271K101 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
B72220S0271K101 |
|
|
TDK-EPC
|
|
|
|
|
|
|
B72220S0271K101 |
|
|
TDK (EPCOS)
|
|
|
|
|
|
|
B72220S0271K101 |
|
|
TDK
|
41 768
|
24.45
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
|
248 764
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
800
|
8.59
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
2
|
5.02
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
3 389
|
3.49
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
OTHER
|
12 800
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
1 424
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
7 139
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YJ
|
158 065
|
1.70
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
11 412
|
1.03
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SEMTECH
|
4
|
2.68
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YOUTAI
|
49 949
|
2.05
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
7 273
|
1.80
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
TRR
|
64 800
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
15 600
|
1.02
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
CTK
|
4
|
1.42
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
2785
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
765
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
2 400
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
439
|
1.79
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
|
|
6.00
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ONS
|
285
|
2.02
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
6 564
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
FAIRCHILD
|
62
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
0.00
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
FUXIN
|
29 600
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
649
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
WILLAS ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
|
|
4.20
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 036
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
ONSEMI
|
282
|
3.18
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
353
|
|
|
|