Версия для печати
Технические характеристики GRM216R71H102KA01D

Номинальное напряжение	50 В
Температурный коэфициент	X7R
Емкость	1000 пФ
Серия	GRM
Корпус (размер)	0805
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Керамический
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Сфера применения	General Purpose
Size / Dimension	0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Thickness	0.028" (0.70mm)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Керамический

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BFS17A		Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	NXP
		BFS17A		Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	PHILIPS
		BFS17A		Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	INFINEON
		BFS17A		Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...			10.84
		BFS17A		Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	NXP	230
		BFS17A		Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	PHILIPS	92
		BFS17A		Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	КИТАЙ
		CC0805JRNPO9BN102		Керамический ЧИП конденсатор 1000пф, NP0, 5%, 0805	YAGEO	315 708	1.41  >500 шт.   0.47
		CC0805JRNPO9BN102		Керамический ЧИП конденсатор 1000пф, NP0, 5%, 0805	YAGEO
		CC0805JRNPO9BN102		Керамический ЧИП конденсатор 1000пф, NP0, 5%, 0805		8
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	ON SEMICONDUCTOR
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	WILLAS ELECTRONIC
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	FAIR
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	ONS
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V			4.20
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	ON SEMICONDUCTOR	2 036
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	ON SEMIC
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	ON SEMICONDUCTO
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	ONS-FAIR
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	SEMTECH
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	ONSEMI	282	5.30
		RC1206JR-0720R			YAGEO
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...			131.32
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	NEC
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	RENESAS
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	NEC ELECTRONICS
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	NEC ELECTRONICS	10
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	CEL
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	ЯПОНИЯ
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	742

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"