Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	FAIR
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	DC COMPONENTS	88 532	1.22
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	NXP
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	PHILIPS
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	DIOTEC	4 510	1.55
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	FAIRCHILD
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	GALAXY
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	FAIRCHILD
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	PHILIPS
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	Fairchild Semiconductor
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	КИТАЙ
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	MIC
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	MCC
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	NXP	5 698
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	VISHAY
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)		63 340	1.44  >100 шт.   0.72
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	YS
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	ONS
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	YJ	2 528	1.06
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	GALAXY ME
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	KLS
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	SUNTAN
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	MIG	7 920	1.06
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	PANJIT
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	ЛЕНТА/КАТУШКА
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	WUXI XUYANG
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	SEMTECH	16 000	1.48  >100 шт.   0.74
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	YANGJIE
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	YIXING
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	6	1	0.90  >500 шт.   0.30
		BAV99.215			NXP
		BAV99.215
		BAV99.215			NEX-NXP	1	1.52  >100 шт.   0.76
		BAV99.215			PHILIPS
		BZV55-C75,115			NXP Semiconductors
		BZV55-C75,115			NEX
		BZV55-C75,115			NEX-NXP	68	3.15
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	КРЕМНИЙ	68	1 034.56
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А		56	629.00
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	БРЯНСК	169	1 325.00
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	СИТ
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	RUS
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	1
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	104
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	24
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	88
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	КРЕМНИЙ	49	1 093.12
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N			264.00
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФЗМТ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	БРЯНСК	142	1 547.60
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФРЯЗИНО
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	RUS
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	14
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	82
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	84

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"