Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	FAIR
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	DC COMPONENTS	130 456	4.12
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	NXP
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	PHILIPS
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	DIOTEC	510	1.65
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	FAIRCHILD
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	GALAXY
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	FAIRCHILD
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	PHILIPS
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	Fairchild Semiconductor
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	КИТАЙ
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	MIC
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	MCC
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	NXP	5 698
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	VISHAY
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)		55 738	1.26  >100 шт.   0.63
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	YS
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	ONS
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	YJ
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	GALAXY ME
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	KLS
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	SUNTAN	170	1.62  >100 шт.   0.81
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	MIG
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	PANJIT	22	1.15
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	ЛЕНТА/КАТУШКА
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	WUXI XUYANG	5 644	1.96  >100 шт.   0.98
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	SEMTECH	12 132	1.52  >100 шт.   0.76
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	YANGJIE
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	YIXING
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	6
		BZV55-C75,115			NXP Semiconductors
		BZV55-C75,115			NEX
		BZV55-C75,115			NEX-NXP	68	3.15
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	КРЕМНИЙ	208	1 171.20
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А		160	1 292.70
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	БРЯНСК
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	СИТ
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	RUS
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	1
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	104
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	24
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	88
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	КРЕМНИЙ	111	1 229.76
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N		280	1 357.80
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФЗМТ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	БРЯНСК
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФРЯЗИНО
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	RUS
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	14
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	82
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	84
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц		22 466	44.64
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ЗПП МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 360	123.98
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	RUS
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	РОССИЯ
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	12231
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	13221

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"