| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
DC COMPONENTS
|
36 584
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
DIOTEC
|
5 590
|
1.52
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MIC
|
4
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NXP
|
5 698
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
|
63 740
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YJ
|
2 528
|
1.06
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
SUNTAN
|
320
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MIG
|
7 920
|
1.06
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
PANJIT
|
22
|
1.10
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
ЛЕНТА/КАТУШКА
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
WUXI XUYANG
|
4 032
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
SEMTECH
|
16 104
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
3362P-1-104LF |
|
Потенциометр 100 кОм
|
|
|
|
|
|
|
3362P-1-104LF |
|
Потенциометр 100 кОм
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3362P-1-104LF |
|
Потенциометр 100 кОм
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3362P-1-104LF |
|
Потенциометр 100 кОм
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3362P-1-104LF |
|
Потенциометр 100 кОм
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
|
BAV99.215 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAV99.215 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BAV99.215 |
|
|
NEX-NXP
|
1
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
|
BAV99.215 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C75,115 |
|
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
BZV55-C75,115 |
|
|
NEX
|
|
|
|
|
|
BZV55-C75,115 |
|
|
NEX-NXP
|
68
|
3.15
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
КРЕМНИЙ
|
49
|
1 093.12
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
|
1
|
462.50
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ФЗМТ
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
БРЯНСК
|
142
|
1 547.60
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ЭЛЕКТРОПРИБОР
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
14
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
82
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
84
|
|
|
|