|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 24V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 200mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100nA @ 18V |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Power - Max | 500mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 80 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | Mini MELF |
| Корпус | SOD-80C |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
LM337LZ | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
|
|
|
LM337LZ |
|
47.44 | ||||
|
|
|
LM337LZ | NSC |
|
|
|||
|
|
|
LM337LZ | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
|
|
|
LM337LZ | ВЕЛИКОБРИТАНИЯ |
|
|
|||
|
|
|
LM337LZ | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||
|
|
|
LM337LZ | NS |
|
|
|||
|
|
|
LM337LZ | TEXAS |
|
|
|||
|
|
|
LM337LZ | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
|||
| MBR10100G |
|
Диод Шоттки Vr=100V, Ifav=10A, Ifsm-150A,Vf=0.80 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| MBR10100G |
|
Диод Шоттки Vr=100V, Ifav=10A, Ifsm-150A,Vf=0.80 |
|
140.00 | ||||
| MBR10100G |
|
Диод Шоттки Vr=100V, Ifav=10A, Ifsm-150A,Vf=0.80 | ONS |
|
|
|||
| MBR10100G |
|
Диод Шоттки Vr=100V, Ifav=10A, Ifsm-150A,Vf=0.80 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| MBR10100G |
|
Диод Шоттки Vr=100V, Ifav=10A, Ifsm-150A,Vf=0.80 | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||
| RC1206FR-072K2L | YAGEO | 877 | 1.29 | |||||
| RC1206FR-072K2L |
|
|
||||||
| RC1206FR-07470RL | YAGEO | 88 | 1.75 | |||||
| RC1206FR-07470RL | 8 |
|
||||||
| SJ050M0470B5S-1320 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 50 В | YAGEO |
|
|
|||
| SJ050M0470B5S-1320 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 50 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| SJ050M0470B5S-1320 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 50 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|