| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
29 616
|
2.87
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
28 975
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
458 290
|
1.11
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
380 336
|
1.08
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
86 304
|
1.13
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PLINGSEMIC
|
643
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SLKOR
|
79
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
92 817
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1700
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
2209
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
3000
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
208619
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
416
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ELZET
|
189 360
|
1.14
>500 шт. 0.38
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
RUME
|
131 792
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TRR
|
72 000
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
КИТАЙ
|
10 131
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
|
BC847BS |
|
Транзистор NPN сдвоенный (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -65 to ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC847BS |
|
Транзистор NPN сдвоенный (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -65 to ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BC847BS |
|
Транзистор NPN сдвоенный (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -65 to ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
BC847BS |
|
Транзистор NPN сдвоенный (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -65 to ...
|
|
|
11.40
|
|
|
|
|
BC847BS |
|
Транзистор NPN сдвоенный (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -65 to ...
|
NXP
|
92
|
|
|
|
|
|
BC847BS |
|
Транзистор NPN сдвоенный (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -65 to ...
|
PHILIPS
|
1 414
|
|
|
|
|
|
BC847BS |
|
Транзистор NPN сдвоенный (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -65 to ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BC847BS |
|
Транзистор NPN сдвоенный (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -65 to ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BC847BS |
|
Транзистор NPN сдвоенный (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -65 to ...
|
LGE
|
8
|
5.66
|
|
|
|
|
BC847BS |
|
Транзистор NPN сдвоенный (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -65 to ...
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
BC847BS |
|
Транзистор NPN сдвоенный (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -65 to ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
BC847BS |
|
Транзистор NPN сдвоенный (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -65 to ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BC847BS |
|
Транзистор NPN сдвоенный (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -65 to ...
|
PJ
|
|
|
|
|
|
|
BC847BS |
|
Транзистор NPN сдвоенный (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -65 to ...
|
YJ
|
177 075
|
3.05
|
|
|
|
|
BC847BS |
|
Транзистор NPN сдвоенный (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -65 to ...
|
KOME
|
595
|
1.69
|
|
|
|
|
BC847BS |
|
Транзистор NPN сдвоенный (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -65 to ...
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
BC847BS |
|
Транзистор NPN сдвоенный (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -65 to ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
BC847BS |
|
Транзистор NPN сдвоенный (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -65 to ...
|
SUNTAN
|
176
|
1.74
|
|
|
|
|
BC847BS |
|
Транзистор NPN сдвоенный (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -65 to ...
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
|
BC847BS |
|
Транзистор NPN сдвоенный (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -65 to ...
|
KEEN SIDE
|
1 831
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
|
BC847BS |
|
Транзистор NPN сдвоенный (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -65 to ...
|
8563
|
|
|
|
|
|
|
BC857BS |
|
Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC857BS |
|
Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BC857BS |
|
Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW
|
|
68
|
12.60
|
|
|
|
|
BC857BS |
|
Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BC857BS |
|
Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW
|
|
68
|
12.60
|
|
|
|
|
BC857BS |
|
Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC857BS |
|
Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW
|
PANJIT
|
1 007
|
2.72
|
|
|
|
|
BC857BS |
|
Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
BC857BS |
|
Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW
|
HOTTECH
|
4 548
|
2.22
|
|
|
|
|
BC857BS |
|
Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW
|
YJ
|
221 668
|
1.14
|
|
|
|
|
BC857BS |
|
Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW
|
KOME
|
1 880
|
1.69
|
|
|
|
|
BC857BS |
|
Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW
|
SUNTAN
|
12 988
|
1.44
|
|
|
|
|
BC857BS |
|
Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW
|
XSEMI
|
3 552
|
1.44
|
|
|
|
|
BC857BS |
|
Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
BC857BS |
|
Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW
|
KEEN SIDE
|
16 776
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
|
CL10F105ZB8NNNC |
|
|
SAMSUNG
|
35 200
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
|
RC0603JR-0751KL |
|
|
YAGEO
|
492 576
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
|
RC0603JR-0751KL |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
RC0603JR-0751KL |
|
|
|
|
|
|