Корпус | SC-70-6 |
Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Тип монтажа | Поверхностный |
Power - Max | 210mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
5 607
|
1.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
25 754
|
1.89
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
120
|
1.45
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 565
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
3 327
|
1.31
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
892 888
|
1.03
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
672 956
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
336
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
128 326
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
7 200
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PLINGSEMIC
|
180 340
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
16 681
|
1.74
|
|
|
|
BC847BPN |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, f>100MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC847BPN |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847BPN |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, f>100MHz, -55 to +150C)
|
|
|
5.08
|
|
|
|
BC847BPN |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, f>100MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
8 845
|
|
|
|
|
BC847BPN |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847BPN |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, f>100MHz, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
73
|
6.02
|
|
|
|
BC847BPN |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
1 212
|
2.51
|
|
|
|
BC847BPN |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, f>100MHz, -55 to +150C)
|
NEXPERIA
|
10
|
4.36
|
|
|
|
BC857S |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857S |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857S |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857S |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC857S |
|
|
|
|
|
|
|
|
BC857S |
|
|
JSCJ
|
40 624
|
2.17
|
|
|
|
CL10F105ZB8NNNC |
|
|
SAMSUNG
|
35 200
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
TL431CPK |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL431CPK |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A
|
|
2 320
|
12.56
|
|
|
|
TL431CPK |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A
|
TEXAS
|
2 628
|
17.86
|
|
|
|
TL431CPK |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
396
|
|
|
|
|
TL431CPK |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TL431CPK |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A
|
1
|
|
|
|
|
|
TL431CPK |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
682
|
|
|