| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
DC COMPONENTS
|
143 417
|
2.10
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
DIOTEC
|
510
|
1.82
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MIC
|
4
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NXP
|
5 698
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
|
49 290
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YJ
|
1 328
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
SUNTAN
|
160
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MIG
|
7 920
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
PANJIT
|
22
|
1.23
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
ЛЕНТА/КАТУШКА
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
WUXI XUYANG
|
5 443
|
1.05
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
SEMTECH
|
12 137
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
6
|
|
|
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
24 902
|
5.20
|
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
|
|
|
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
14 129
|
|
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
53
|
|
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
YJ
|
728
|
3.10
|
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
1
|
7.37
|
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
КИТАЙ
|
40
|
4.79
|
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
JINGDAO
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
|
44
|
55.80
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
SILICONIX
|
28
|
|
|
|
|
IRLD110PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRLD110PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRLD110PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень
|
|
|
|
|
|
|
КТ504А |
|
никель
|
КРЕМНИЙ
|
71
|
472.38
|
|
|
|
КТ504А |
|
никель
|
|
16
|
106.02
|
|
|
|
КТ504А |
|
никель
|
БРЯНСК
|
144
|
539.40
|
|
|
|
КТ504А |
|
никель
|
RUS
|
|
|
|