|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
DC COMPONENTS
|
40 117
|
1.32
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
DIOTEC
|
9 310
|
1.23
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MIC
|
4
|
1.03
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NXP
|
5 147
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
|
86 902
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YJ
|
2 848
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MIG
|
25 519
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
ЛЕНТА/КАТУШКА
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
WUXI XUYANG
|
3 788
|
1.97
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
SEMTECH
|
44 003
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
|
1
|
27.60
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
PH / NXP
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
LGE
|
790
|
2.35
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
PH/NXP
|
32
|
25.19
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
LUGUANG
|
957
|
2.59
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
2 686
|
3.94
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
|
13 200
|
1.16
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
15 824
|
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
53
|
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
YJ
|
2 400
|
3.94
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
ES1B |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=100V, I=1A, Ifsm=30A, -50 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
IRLD110PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRLD110PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRLD110PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень
|
|
|
|
|
|
|
КТ504А |
|
никель
|
КРЕМНИЙ
|
39
|
489.60
|
|
|
|
КТ504А |
|
никель
|
|
11
|
105.00
|
|
|
|
КТ504А |
|
никель
|
БРЯНСК
|
160
|
580.00
|
|
|
|
КТ504А |
|
никель
|
RUS
|
|
|
|