Версия для печати
Технические характеристики BC807

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	700mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 100mA, 1V
Power - Max	250mW
Frequency - Transition	80MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

BC807 datasheet 233,33kB 19стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	FAIR
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	DC COMPONENTS	8 674	6.36
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	ST MICROELECTRONICS
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	RFE INTERNATIONAL
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	SMK
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	FAIRCHILD
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	RF ELECT/RFE INTERNATIONAL
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	FAIRCHILD
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	RF ELECT./RFE INTERNATIONAL
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	Fairchild Semiconductor
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	STMicroelectronics
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	КИТАЙ	800	10.93
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	YJ	993	8.88
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)		7 856	3.75
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	KINGTRONICS	44	4.65
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	ONS
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	GOOD-ARK
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	MIC	23	5.58
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	YANGJIE
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	YANGJIE (YJ)
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	KLS
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	YANGZHOU YANGJIE
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	KEEN SIDE	944	2.75
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	6567
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	FAIR
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	DC COMPONENTS	20 732	6.01
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NXP	1 504	2.12
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ST MICROELECTRONICS
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	UTC
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD	119
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	FAIRCHILD	1 733
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	PHILIPS	4
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SAMSUNG
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SILICONIX	98
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ZETEX	336
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NXP	395
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SILICON POWER	124
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	POWERSILICON INCORPORATED	122
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	GALAXY	430	2.00
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ST MICROELECTRONICS SEMI	2
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт		50 436	1.56  >100 шт.   0.78
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	FAIRCHILD	32	2.12
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	FSC
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	PANJIT
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NEXPERIA
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ONS
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ONS-FAIR
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ON SEMICONDUCTOR	800	12.49
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	PHILIPS	80	12.49
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	GALAXY ME
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NEXPERIA	108
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	LRC
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	HOTTECH	7	1.88
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	KLS	7 919	3.21
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	LGE	4	1.90
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	YJ	518 767	1.66
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	YANGJIE
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	YANGJIE (YJ)
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	DIODES
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	KOME
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	DIOTEC	68 781	2.20
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	JANGJIE
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	YOUTAI	14 480	1.61
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ASEMI
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	UMW-YOUTAI
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	CJ
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	UWM
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SUNTAN	4 160	1.46  >100 шт.   0.73
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SHIKUES
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	KUU	2 022	1.38
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	JSCJ	7 973	1.69
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SLKOR	880	1.35
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	YANGZHOU YANGJIE
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	KLS ELECTRONIC
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	MERRYELC
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	1980
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	40
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	KEEN SIDE	50 600	1.08  >100 шт.   0.54
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	INFINEON	320	36.36
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	PLINGSEMIC	34 560	1.18  >100 шт.   0.59
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP	1	9.73
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC	228 218	2.25
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DC COMPONENTS	44 863	2.68
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	MCC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	UTC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)		47 671	1.16  >100 шт.   0.58
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD	325
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LI-SION TECHNOLOGY INC.
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KEC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP	4 345
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FSC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS-FAIR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT	27 200
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD	3 467	1.70
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	INFINEON	800	5.47
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY ME
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECH	649 649	1.14  >100 шт.   0.57
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ARK
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	АЛЕКСАНДРОВ
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LRC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KLS	426	1.96  >100 шт.   0.98
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NEXPERIA	95 404	1.09
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIODES
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PHILIPS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE (YJ)
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SEMTECH	220	1.23
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PJ	2 865	1.96  >100 шт.   0.98
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE	1 527 414	0.90  >500 шт.   0.30
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YJ	563 590	1.62
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JSCJ	135 256	1.76
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP/NEXPERIA
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR	273 600	1.32  >500 шт.   0.44
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SUNTAN	429	1.11  >500 шт.   0.37
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JINGDAO	8 384	1.02  >500 шт.   0.34
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR ELECTRONICS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECCN	1 710	1.70
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	CJ
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGZHOU YANGJIE
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KEEN SIDE	173 388	1.26  >500 шт.   0.42
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	2138
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	4334
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ASEMI	166 463	1.20  >500 шт.   0.40
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	19480
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	22054
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	643
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	1054
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	543
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGZHOUYANGJIEEL	591 996	1.72  >100 шт.   0.86
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	NXP
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	PHILIPS
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц			4.20
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	KEMET
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	NXP	626
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	PHILIPS	18 448
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	HOTTECH
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	JSCJ	186 189	1.65
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	TOP DIODE	81 600	1.06
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	800	81.20
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	NXP
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...		15	79.55
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	NXP
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	DMS
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	МЕКСИКА
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	INFINEON
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	24
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	1
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	MINOS
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	EVVO	9 074	19.47

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"