| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3µA @ 4V |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Power - Max | 350mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 10 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| Tolerance | ±5% |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
134 240
|
2.12
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
|
|
4.00
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONS
|
1
|
2.20
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 533
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
VBSEMI
|
2 927
|
2.85
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONSEMI
|
128
|
1.82
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
167800
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
161
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
TSC
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
|
784
|
11.10
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
BOURNS
|
9
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
YJ
|
53 096
|
2.85
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
LTL
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
WAYON
|
33 820
|
4.67
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
LGE
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
HOTTECH
|
5 360
|
4.56
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
SN74AC14DR |
|
Hex Inv Schmitt Trigger
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
65
|
409.85
|
|
|
|
|
SN74AC14DR |
|
Hex Inv Schmitt Trigger
|
|
|
16.88
|
|
|
|
|
SN74AC14DR |
|
Hex Inv Schmitt Trigger
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
SN74AC14DR |
|
Hex Inv Schmitt Trigger
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
SN74AC14DR |
|
Hex Inv Schmitt Trigger
|
ТI
|
|
|
|
|
|
|
SN74AC14DR |
|
Hex Inv Schmitt Trigger
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
592
|
|
|
|
|
SPP17N80C3 |
|
Полевой транзистор 17A 800В 0.29Ом
|
INFINEON
|
3
|
300.12
|
|
|
|
SPP17N80C3 |
|
Полевой транзистор 17A 800В 0.29Ом
|
|
|
448.80
|
|
|
|
SPP17N80C3 |
|
Полевой транзистор 17A 800В 0.29Ом
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SPP17N80C3 |
|
Полевой транзистор 17A 800В 0.29Ом
|
INFINEON TECH
|
|
|
|