| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
ISOCOM
|
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
Q TECH
|
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
QT OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
FAIRCHILD
|
1
|
42.00
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
ISOCOM
|
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
Q TECH INC.
|
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
QT OPTOELECTRONICS
|
20
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
ISOCOM COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
MOT
|
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
|
2
|
26.46
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
QTC
|
10
|
42.00
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
2
|
|
|
|
|
|
IRF640NS |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF640NS |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
|
479
|
55.50
|
|
|
|
IRF640NS |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF640NS |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRF640NS |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
|
6 360
|
22.31
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
YJ
|
42 215
|
25.24
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
---
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
HOTTECH
|
2 720
|
17.12
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
LGE
|
472
|
23.76
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
PANJIT
|
836
|
43.47
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
KLS
|
3 056
|
20.60
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
DIOTEC
|
1 599
|
76.75
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
XSEMI
|
1 580
|
16.10
|
|
|
|
VS-150EBU02 |
|
Диод импульсный 200В,150А, 45нс, PowerTab
|
|
|
540.00
|
|
|
|
VS-150EBU02 |
|
Диод импульсный 200В,150А, 45нс, PowerTab
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
VS-150EBU02 |
|
Диод импульсный 200В,150А, 45нс, PowerTab
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
|
2 583
|
38.64
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
МИНСК
|
14 137
|
46.20
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
2 560
|
84.72
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
47
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
8658
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
88
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
8879
|
|
|
|