0805 100 КОМ 5%

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
0805 100 КОМ 5% (CHIP RESISTOR)	8 000	0.63 >500 шт. 0.21

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805 1КОМ 5%	Чип-резистор 1кОм, 5%, 0.125 Вт, 150В	MASTER CHIP
0805 1КОМ 5%	Чип-резистор 1кОм, 5%, 0.125 Вт, 150В
MOC3051M	Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA	FAIR
MOC3051M	Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA	QT OPTOELECTRONICS
MOC3051M	Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA	FSC
MOC3051M	Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA	FAI/QTC
MOC3051M	Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA	FAIRCHILD
MOC3051M	Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA	FAIRCHILD
MOC3051M	Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA	QT OPTOELECTRONICS
MOC3051M	Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA	Fairchild Optoelectronics Group
MOC3051M	Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
MOC3051M	Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA	ONS
MOC3051M	Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA	ONS-FAIR
MOC3051M	Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA		1	128.52
MOC3051M	Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA	1
К73-9-0.033МКФ 100В (10%)
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			72.00
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	СВЕТЛАНА
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	АЛЕКСАНДРОВ
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ