| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
0805 1КОМ 5% |
|
Чип-резистор 1кОм, 5%, 0.125 Вт, 150В
|
MASTER CHIP
|
|
|
|
|
|
|
0805 1КОМ 5% |
|
Чип-резистор 1кОм, 5%, 0.125 Вт, 150В
|
|
|
|
|
|
|
|
0805 2.2 КОМ 5% |
|
|
|
197
|
3.75
|
|
|
|
|
0805 2.2 КОМ 5% |
|
|
ELZET
|
|
|
|
|
|
 |
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
|
34 560
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
37 480
|
1.48
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
NXP
|
36 964
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
33 182
|
1.03
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
649
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
YJ
|
221 822
|
2.07
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
XSEMI
|
35 895
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
9 768
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
|
BZV55-B12,115 |
|
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-B12,115 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-B12,115 |
|
|
NEX
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-B12,115 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-B12,115 |
|
|
NEXPERIA
|
1
|
8.36
|
|
|
|
|
К555ЛН1 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 6 логических элементов НЕ
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛН1 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 6 логических элементов НЕ
|
|
|
17.28
|
|
|
|
|
К555ЛН1 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 6 логических элементов НЕ
|
МЕЗОН
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛН1 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 6 логических элементов НЕ
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛН1 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 6 логических элементов НЕ
|
АЗОН
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛН1 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 6 логических элементов НЕ
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
