| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...
|
|
|
12.48
|
|
|
|
|
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...
|
KEC
|
|
|
|
|
|
|
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...
|
HGF
|
|
|
|
|
|
|
ICE2B265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W
|
INFINEON
|
52
|
219.24
|
|
|
|
|
ICE2B265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W
|
|
1
|
302.40
|
|
|
|
|
ICE2B265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
ICE2B265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W
|
США
|
|
|
|
|
|
|
ICE2B265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
ICE2B265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W
|
1
|
|
|
|
|
|
|
ICE2B265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
684
|
|
|
|
|
|
ULQ2003D1013TR |
|
7 ключей на составных транзисторах
|
ST MICROELECTRONICS
|
12 450
|
28.24
|
|
|
|
|
ULQ2003D1013TR |
|
7 ключей на составных транзисторах
|
|
|
51.32
|
|
|
|
|
ULQ2003D1013TR |
|
7 ключей на составных транзисторах
|
ALLEGRO
|
|
|
|
|
|
|
ULQ2003D1013TR |
|
7 ключей на составных транзисторах
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
ULQ2003D1013TR |
|
7 ключей на составных транзисторах
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
ULQ2003D1013TR |
|
7 ключей на составных транзисторах
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
ULQ2003D1013TR |
|
7 ключей на составных транзисторах
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
386
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
|
1
|
13.62
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
ДАЛЕКС
|
2 737
|
31.73
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
П210Б |
|
Транзистор германиевый сплавный структуры p-n-p универсальный для применения в ...
|
|
160
|
74.00
|
|
|
|
|
П210Б |
|
Транзистор германиевый сплавный структуры p-n-p универсальный для применения в ...
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
П210Б |
|
Транзистор германиевый сплавный структуры p-n-p универсальный для применения в ...
|
КВАЗАР
|
|
|
|
Версия для печати
