КТ639Ж

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
КТ639Ж (КРЕМНИЙ)	400	24.57
КТ639Ж (БРЯНСК)	632	12.60

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BD136-16	Транзистор биполярный средней мощности PNP 45V 1,5A 8W B:100-250		17	16.80
BD136-16	Транзистор биполярный средней мощности PNP 45V 1,5A 8W B:100-250	ST MICROELECTRONICS
BD136-16	Транзистор биполярный средней мощности PNP 45V 1,5A 8W B:100-250	ПУЭРТО РИКО
BD136-16	Транзистор биполярный средней мощности PNP 45V 1,5A 8W B:100-250	MCC
BD136-16	Транзистор биполярный средней мощности PNP 45V 1,5A 8W B:100-250	ТРАНЗИСТОР
BD136-16	Транзистор биполярный средней мощности PNP 45V 1,5A 8W B:100-250	ST MICROELECTRO
BD136-16	Транзистор биполярный средней мощности PNP 45V 1,5A 8W B:100-250	HOTTECH
BD140-10	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 1,5A 8W B:60-160	FAI/QTC
BD140-10	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 1,5A 8W B:60-160	ST MICROELECTRONICS
BD140-10	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 1,5A 8W B:60-160	UTC
BD140-10	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 1,5A 8W B:60-160			27.80
BD140-10	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 1,5A 8W B:60-160	МИНСК
BD140-10	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 1,5A 8W B:60-160	ST MICROELECTRONICS SEMI
BD140-10	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 1,5A 8W B:60-160	NXP
BD140-10	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 1,5A 8W B:60-160	NXP/NEXPERIA

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
SS9018	NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz	SAMSUNG
SS9018	NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz			2.80
SS9018	NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz			2.80
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	ST MICROELECTRONICS
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	SGS
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8			34.60
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	UTC
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	SGS THOMSON
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	ST MICROELECTRONICS SEMI
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	STMicroelectronics
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	ST1
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	ST MICROELECTRO
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	1
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	4-7 НЕДЕЛЬ	678
КТ117Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа		288	185.00
КТ117Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа	КРИСТАЛЛ
КТ117Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа	УЛЬЯНОВСК	3 155	35.70
КТ117Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа	RUS
КТ117Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа	УРЛЗ	120	227.30
КТ117Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа	КАЛУГА
МП103А			1	22.20
МП103А		СВЕТЛАНА	432	10.50
ТВК-110Л2
ТВК-110Л2