КТ345В
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 47МКФ 16 (5X7) |
|
|
||||||
 |
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | SGS |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 |
|
34.60 | |||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | UTC |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | SGS THOMSON |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | STMicroelectronics |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ST1 |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ST MICROELECTRO |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | 1 |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 678 |
|
||
| Д1-1.2-1 10% | 872 | 5.25 | ||||||
| КС102А СТ. (5.1В) |
|
|
||||||
| КС102А СТ. (5.1В) | НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП |
|
|
|||||
| КС102А СТ. (5.1В) | НОВОСИБИРСК | 1 772 | 4.20 | |||||
 |
КТ639Ж |
|
|
|||||
|
|
КТ639Ж | КРЕМНИЙ | 400 | 24.57 | ||||
|
|
КТ639Ж |
|
|
|||||
|
|
КТ639Ж | БРЯНСК | 632 | 12.60 | ||||
|
|
КТ639Ж | 790 |
|
|
