| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
SS9018 |
|
NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
SS9018 |
|
NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz
|
|
|
2.80
|
|
|
|
SS9018 |
|
NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz
|
|
|
2.80
|
|
|
|
SS9018 |
|
NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz
|
КИТАЙ
|
1
|
9.00
|
|
|
|
|
Д1-1.2-1 10% |
|
|
|
872
|
5.30
|
|
|
|
КВ104А |
|
Варикап кремниевый, диффузионно-сплавный, подстроечный, для применения в схемах ...
|
|
|
24.00
|
|
|
|
КВ104А |
|
Варикап кремниевый, диффузионно-сплавный, подстроечный, для применения в схемах ...
|
ДНЕПР
|
69
|
106.00
|
|
|
|
КВ104А |
|
Варикап кремниевый, диффузионно-сплавный, подстроечный, для применения в схемах ...
|
ХЕРСОН
|
28
|
106.00
|
|
|
|
|
КС102А СТ. (5.1В) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КС102А СТ. (5.1В) |
|
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КС102А СТ. (5.1В) |
|
|
НОВОСИБИРСК
|
1 772
|
4.24
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
|
288
|
231.25
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
КРИСТАЛЛ
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
УЛЬЯНОВСК
|
3 094
|
36.04
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
УРЛЗ
|
392
|
340.96
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
КАЛУГА
|
|
|
|