| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SB857 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 70/50V, 4A, 40W, 15MHz
|
HITACHI
|
26
|
114.78
|
|
|
|
2SB857 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 70/50V, 4A, 40W, 15MHz
|
|
1
|
81.90
|
|
|
|
2SB857 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 70/50V, 4A, 40W, 15MHz
|
HIT
|
|
|
|
|
|
2SB857 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 70/50V, 4A, 40W, 15MHz
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
2SB857 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 70/50V, 4A, 40W, 15MHz
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
JSCJ
|
20 276
|
1.09
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
|
24
|
20.80
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIRCHILD
|
32
|
7.50
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIRCHILD
|
5
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
OTHER
|
266
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
|
8
|
55.50
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
NATIONAL SEMIC
|
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
NS
|
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
1
|
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
788
|
|
|
|
|
|
TS3V3704IN |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TS3V3704IN |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|