| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
29 466
|
1.49
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
2 200
|
1.86
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
3 046
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
2 130
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIODES INC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
|
106 261
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
361 284
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
LRC
|
1 600
|
2.07
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KOME
|
10
|
1.64
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
1 068
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YJ
|
116 103
|
1.03
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
TRR ELECTRONICS
|
321
|
1.25
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NEXPERIA
|
18 364
|
1.32
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
16
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
XXW
|
206
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CTK
|
2 028
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
26 052
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
MERRYELC
|
151 888
|
1.23
>500 шт. 0.41
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
ASEMI
|
97 025
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
4605
|
80
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
ELZET
|
127 200
|
0.99
>500 шт. 0.33
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
TRR
|
139 200
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
|
JCD105-471K (SDR1006-471KL) |
|
|
JY
|
|
|
|
|
|
|
MOC3042M |
|
Оптосимистор 7.5kV 400V 60mA Iоткр=10mA Схема перехода через ноль
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MOC3042M |
|
Оптосимистор 7.5kV 400V 60mA Iоткр=10mA Схема перехода через ноль
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
MOC3042M |
|
Оптосимистор 7.5kV 400V 60mA Iоткр=10mA Схема перехода через ноль
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
|
MOC3042M |
|
Оптосимистор 7.5kV 400V 60mA Iоткр=10mA Схема перехода через ноль
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
MOC3042M |
|
Оптосимистор 7.5kV 400V 60mA Iоткр=10mA Схема перехода через ноль
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
MOC3042M |
|
Оптосимистор 7.5kV 400V 60mA Iоткр=10mA Схема перехода через ноль
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
MOC3042M |
|
Оптосимистор 7.5kV 400V 60mA Iоткр=10mA Схема перехода через ноль
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MOC3042M |
|
Оптосимистор 7.5kV 400V 60mA Iоткр=10mA Схема перехода через ноль
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MOC3042M |
|
Оптосимистор 7.5kV 400V 60mA Iоткр=10mA Схема перехода через ноль
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MOC3042M |
|
Оптосимистор 7.5kV 400V 60mA Iоткр=10mA Схема перехода через ноль
|
|
|
|
|
|
|
|
MOC3042M |
|
Оптосимистор 7.5kV 400V 60mA Iоткр=10mA Схема перехода через ноль
|
1
|
|
|
|
|
|
|
MOC3042M |
|
Оптосимистор 7.5kV 400V 60mA Iоткр=10mA Схема перехода через ноль
|
YOUTAI
|
1 272
|
8.01
|
|
|
|
|
MOC3042M |
|
Оптосимистор 7.5kV 400V 60mA Iоткр=10mA Схема перехода через ноль
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
356
|
|
|
|
|
MOC3052 |
|
Фототранзист 7,5кВ 600В 10мА
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC3052 |
|
Фототранзист 7,5кВ 600В 10мА
|
|
206
|
49.14
|
|
|
|
MOC3052 |
|
Фототранзист 7,5кВ 600В 10мА
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MOC3052 |
|
Фототранзист 7,5кВ 600В 10мА
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MOC3052 |
|
Фототранзист 7,5кВ 600В 10мА
|
FAIR CHILD
|
|
|
|
|
|
MOC3052 |
|
Фототранзист 7,5кВ 600В 10мА
|
LIT
|
7 077
|
11.94
|
|
|
|
MOC3052 |
|
Фототранзист 7,5кВ 600В 10мА
|
LITE-ON
|
|
|
|
|
|
MOC3052 |
|
Фототранзист 7,5кВ 600В 10мА
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MOC3052 |
|
Фототранзист 7,5кВ 600В 10мА
|
1
|
|
|
|
|
|
SDR0805-331KL |
|
Индуктивность 330мкГн SMD 7,8x5,3mm
|
BOURNS
|
1
|
46.45
|
|
|
|
SDR0805-331KL |
|
Индуктивность 330мкГн SMD 7,8x5,3mm
|
|
|
|
|
|
|
SDR0805-331KL |
|
Индуктивность 330мкГн SMD 7,8x5,3mm
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
SDR0805-331KL |
|
Индуктивность 330мкГн SMD 7,8x5,3mm
|
BOURNS
|
|
|
|