|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
20 345
|
2.08
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
8
|
2.10
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
2 004
|
1.75
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
3 046
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
2 130
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIODES INC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
|
110 389
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
646
|
1.10
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
198 402
|
1.45
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
LRC
|
1 920
|
2.07
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KOME
|
10
|
1.61
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
228 767
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
SEMTECH
|
36 637
|
1.43
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YJ
|
31 324
|
2.07
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
TRR ELECTRONICS
|
374
|
1.23
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NEXPERIA
|
38 996
|
1.36
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
16
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
XXW
|
50 107
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|
|
|
JCD105-471K (SDR1006-471KL) |
|
|
JY
|
|
|
|
|
|
MOC3042M |
|
Оптосимистор 7.5kV 400V 60mA Iоткр=10mA Схема перехода через ноль
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC3042M |
|
Оптосимистор 7.5kV 400V 60mA Iоткр=10mA Схема перехода через ноль
|
FSC
|
|
|
|
|
|
MOC3042M |
|
Оптосимистор 7.5kV 400V 60mA Iоткр=10mA Схема перехода через ноль
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
MOC3042M |
|
Оптосимистор 7.5kV 400V 60mA Iоткр=10mA Схема перехода через ноль
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MOC3042M |
|
Оптосимистор 7.5kV 400V 60mA Iоткр=10mA Схема перехода через ноль
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MOC3042M |
|
Оптосимистор 7.5kV 400V 60mA Iоткр=10mA Схема перехода через ноль
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MOC3042M |
|
Оптосимистор 7.5kV 400V 60mA Iоткр=10mA Схема перехода через ноль
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MOC3042M |
|
Оптосимистор 7.5kV 400V 60mA Iоткр=10mA Схема перехода через ноль
|
ONS
|
662
|
55.61
|
|
|
|
MOC3042M |
|
Оптосимистор 7.5kV 400V 60mA Iоткр=10mA Схема перехода через ноль
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC3042M |
|
Оптосимистор 7.5kV 400V 60mA Iоткр=10mA Схема перехода через ноль
|
|
|
|
|
|
|
MOC3042M |
|
Оптосимистор 7.5kV 400V 60mA Iоткр=10mA Схема перехода через ноль
|
1
|
|
|
|
|
|
MOC3042M |
|
Оптосимистор 7.5kV 400V 60mA Iоткр=10mA Схема перехода через ноль
|
YOUTAI
|
1 337
|
16.32
|
|
|
|
MOC3042M |
|
Оптосимистор 7.5kV 400V 60mA Iоткр=10mA Схема перехода через ноль
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
356
|
|
|
|
|
MOC3052 |
|
Фототранзист 7,5кВ 600В 10мА
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC3052 |
|
Фототранзист 7,5кВ 600В 10мА
|
|
118
|
56.70
|
|
|
|
MOC3052 |
|
Фототранзист 7,5кВ 600В 10мА
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MOC3052 |
|
Фототранзист 7,5кВ 600В 10мА
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MOC3052 |
|
Фототранзист 7,5кВ 600В 10мА
|
FAIR CHILD
|
|
|
|
|
|
MOC3052 |
|
Фототранзист 7,5кВ 600В 10мА
|
LIT
|
12 946
|
13.44
|
|
|
|
MOC3052 |
|
Фототранзист 7,5кВ 600В 10мА
|
LITE-ON
|
7 676
|
17.79
|
|
|
|
MOC3052 |
|
Фототранзист 7,5кВ 600В 10мА
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MOC3052 |
|
Фототранзист 7,5кВ 600В 10мА
|
1
|
|
|
|
|
|
SDR0805-331KL |
|
Индуктивность 330мкГн SMD 7,8x5,3mm
|
BOURNS
|
6 901
|
34.56
|
|
|
|
SDR0805-331KL |
|
Индуктивность 330мкГн SMD 7,8x5,3mm
|
|
|
|
|
|
|
SDR0805-331KL |
|
Индуктивность 330мкГн SMD 7,8x5,3mm
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
SDR0805-331KL |
|
Индуктивность 330мкГн SMD 7,8x5,3mm
|
BOURNS
|
|
|
|