Версия для печати
Технические характеристики SR360

Материал	кремний
Максимальное постоянное обратное напряжение,В	60
Максимальное импульсное обратное напряжение,В	72
Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А	3
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А	100
Максимальный обратный ток,мкА 25гр	3000
Максимальное прямое напряжение,В при 25гр.	0.75
при Iпр.,А	3
Рабочая частота,кГц	1000
Общая емкость Сд,пФ	330
Рабочая температура,С	-65…125
Способ монтажа	В отверст.
Корпус	DO201AD

SR360 Surface Mount Schottky Barrier Rectifier Reverse Voltage - 20 to 60 Volts Forward Current - 1.0Ampere Производитель: Shanghai Lunsure //www.cnelectr.com SR360 datasheet 163.41Kb 2стр.

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007			DC COMPONENTS	119 580	1.81
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			PANJIT
		1N4007			FSC
		1N4007			MCC
		1N4007			DIC
		1N4007			FAIR
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			MIC	98 787	1.30
		1N4007			DIOTEC	56 756	2.62
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			LD
		1N4007			JGD
		1N4007			MING SHUN
		1N4007			MS
		1N4007			QUAN-HONG
		1N4007			XR
		1N4007			GALAXY
		1N4007			COMPACT TECHNOLOGY
		1N4007			DC COMPONENTS
		1N4007			FAIRCHILD	288
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR	1
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			MASTER INSTRUMENT CORPORATION
		1N4007			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			PANJIT	307 692
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N4007			YANGJIE SEMICONDUCT
		1N4007			Fairchild Semiconductor
		1N4007			SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4007			MICROSEMI CORP
		1N4007			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4007			GD
		1N4007			JC
		1N4007			KINGTRONICS
		1N4007			YJ	144 053	1.30
		1N4007			DIODES INC.
		1N4007			MIG
		1N4007			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		1N4007			MOTOROLA
		1N4007			YJ ELE-NIC CORP
		1N4007			RECTIFIER
		1N4007			EXTRA COM-NTS
		1N4007			GALAXY ELECTRICAL
		1N4007			GEMBIRD
		1N4007			ТОМИЛИНО
		1N4007			EXTRA
		1N4007			КИТАЙ	800	6.12
		1N4007			DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4007			MD
		1N4007				1 807	3.52
		1N4007			ONS-FAIR
		1N4007			ONS
		1N4007			ELZET
		1N4007			GALAXY ME
		1N4007			LGE	8 553	1.70
		1N4007			HOTTECH	91 279	1.23
		1N4007			KLS	128 000	1.97
		1N4007			YS
		1N4007			YANGJIE	273 600	1.57
		1N4007			YANGJIE (YJ)
		1N4007			MC
		1N4007			FAIRCHILD
		1N4007			WUXI XUYANG	14 518	1.96
		1N4007			KUU	5	1.08  >100 шт.   0.54
		1N4007			CHINA	15 337	1.02
		1N4007			SUNRISETRON
		1N4007			UNKNOWN
		1N4007			BILIN
		1N4007			KEHE
		1N4007			1
		1N4007			BL
		1N4007			SUNTAN	152 999	1.98
		1N4007			TWGMC	69	1.96  >100 шт.   0.98
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MCC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ST MICROELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GOODWORK SEMICONDUCTER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTRON
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DC COMPONENTS	17 349	3.84
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ON SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SMK
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIC	9 264	2.29
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YJ	45 322	3.94
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIRCHILD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GALAXY
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DC COMPONENTS	3 692
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIRCHILD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GENERAL SEMICONDUCTOR	21
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ON SEMICONDUCTOR	80
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	OTHER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTRON	240
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ST MICROELECTRONICS SEMI
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YJ ELECTRONIC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	Fairchild Semiconductor
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	Vishay/Semiconductors
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	STMicroelectronics
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	КИТАЙ	1 880	3.00
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LESHAN RADIO COMPANY, LTD	43 351
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MOTOROLA
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTIFIER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DIODES INC.	14
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MMC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIG
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А		1 125	8.80
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MULTICOMP
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	KINGTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ONS-FAIR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GALAXY ME
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	JY
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	KLS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SUNTAN	11 301	3.32
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YANGJIE	28 800	2.47
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YANGJIE (YJ)
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	WUXI XUYANG
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SEMTECH
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIС
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ASEMI
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	HOTTECH
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	1
		2SD882		Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц	NEC
		2SD882		Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц	DC COMPONENTS	15 984	12.03
		2SD882		Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц	MATSUSHITA
		2SD882		Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц		7 298	8.33
		2SD882		Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц	ST MICROELECTRONICS
		2SD882		Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц	STMicroelectronics
		2SD882		Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц	КИТАЙ
		2SD882		Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц	RENESAS
		7805C			КРЕМНИЙ
		7805C				72	39.60
		7805C			БРЯНСК
		7805C			D-PAK
		7805C			МИНСК
		7805C			1
		HER105		Диод 1А, 400В	DIODES
		HER105		Диод 1А, 400В	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		HER105		Диод 1А, 400В			4.08
		HER105		Диод 1А, 400В	WTE
		HER105		Диод 1А, 400В	MCC
		HER105		Диод 1А, 400В	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		HER105		Диод 1А, 400В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		HER105		Диод 1А, 400В	КИТАЙ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"