Версия для печати
Технические характеристики MB1505

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free by exemption / RoHS Compliant
Product Change Notification	End Of Life 10/June/2010
Voltage - Peak Reverse (Max)	50V
Current - DC Forward (If)	15A
Diode Type	Single Phase
Скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа	QC Terminal
Корпус (размер)	MB
Корпус	MB

MB1505 datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диодные мосты

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC5171		Биполярный транзистор NPN 180V, 2A, 20W, 200MHz (Comp. 2SA1930)	TOSHIBA
		2SC5171		Биполярный транзистор NPN 180V, 2A, 20W, 200MHz (Comp. 2SA1930)			51.88
		2SC5171		Биполярный транзистор NPN 180V, 2A, 20W, 200MHz (Comp. 2SA1930)	TOS
		2SC5171		Биполярный транзистор NPN 180V, 2A, 20W, 200MHz (Comp. 2SA1930)	ЯПОНИЯ
		2SC5171		Биполярный транзистор NPN 180V, 2A, 20W, 200MHz (Comp. 2SA1930)	ISC
		2SC5570		NPN hi-res, 1700V, 28A, 220W	TOSHIBA
		2SC5570		NPN hi-res, 1700V, 28A, 220W
		2SC5570		NPN hi-res, 1700V, 28A, 220W	TOS
		2SC5570		NPN hi-res, 1700V, 28A, 220W	TOSHIBA
		2SC5570		NPN hi-res, 1700V, 28A, 220W
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	OTHER
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CJ
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CDIL
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	29 642	1.82  >100 шт.   0.91
		IRFP064N		Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER	418	92.04
		IRFP064N		Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт		617	109.54
		IRFP064N		Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	ФИЛИППИНЫ
		IRFP064N		Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	INFINEON
		IRFP064N		Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	1
		IRFP064N		Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	EVVO	726	54.10
		IRFP064N		Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	JSMICRO	1 213	60.21
		MCP1541-I/TO		Источник опорного напряжения, Vref,В = 4,096, Точ,% = +/- 1, Iout = 2 mA, ...	MICRO CHIP	3 184	185.98
		MCP1541-I/TO		Источник опорного напряжения, Vref,В = 4,096, Точ,% = +/- 1, Iout = 2 mA, ...			283.08
		MCP1541-I/TO		Источник опорного напряжения, Vref,В = 4,096, Точ,% = +/- 1, Iout = 2 mA, ...	Microchip Technology
		MCP1541-I/TO		Источник опорного напряжения, Vref,В = 4,096, Точ,% = +/- 1, Iout = 2 mA, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	648

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"