Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC5171		Биполярный транзистор NPN 180V, 2A, 20W, 200MHz (Comp. 2SA1930)	TOSHIBA
		2SC5171		Биполярный транзистор NPN 180V, 2A, 20W, 200MHz (Comp. 2SA1930)			51.88
		2SC5171		Биполярный транзистор NPN 180V, 2A, 20W, 200MHz (Comp. 2SA1930)	TOS
		2SC5171		Биполярный транзистор NPN 180V, 2A, 20W, 200MHz (Comp. 2SA1930)	ЯПОНИЯ
		2SC5171		Биполярный транзистор NPN 180V, 2A, 20W, 200MHz (Comp. 2SA1930)	ISC
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	OTHER
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CJ
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CDIL
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	29 642	1.82  >100 шт.   0.91
		IRFP064N		Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER	346	91.46
		IRFP064N		Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт		617	109.54
		IRFP064N		Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	ФИЛИППИНЫ
		IRFP064N		Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	INFINEON
		IRFP064N		Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	1
		IRFP064N		Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	EVVO	729	54.18
		IRFP064N		Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	JSMICRO	1 213	60.29
		MCP1541-I/TO		Источник опорного напряжения, Vref,В = 4,096, Точ,% = +/- 1, Iout = 2 mA, ...	MICRO CHIP	3 184	185.98
		MCP1541-I/TO		Источник опорного напряжения, Vref,В = 4,096, Точ,% = +/- 1, Iout = 2 mA, ...			283.08
		MCP1541-I/TO		Источник опорного напряжения, Vref,В = 4,096, Точ,% = +/- 1, Iout = 2 mA, ...	Microchip Technology
		MCP1541-I/TO		Источник опорного напряжения, Vref,В = 4,096, Точ,% = +/- 1, Iout = 2 mA, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	648
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц		2 531	38.64
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	МИНСК	13 977	46.64
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ЗПП МИНСК
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ	2 800	84.72
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	RUS
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	РОССИЯ
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	47
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	8658
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	88
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	8879

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"