BZV55-C36.115

Версия для печати

Технические характеристики BZV55-C36.115

Производитель	NXP
Количество в упаковке	2500 шт.
Вес	0.080 г
Voltage - Withstanding	36 В
Корпус (размер)	SOD80
Рабочая температура	-65...200 °C

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BZV55-C27		DC COMPONENTS	47 252	2.07
BZV55-C27		NXP
BZV55-C27		PHILIPS	2 361	1.82
BZV55-C27		NXP
BZV55-C27		PHILIPS
BZV55-C27
BZV55-C27		PHI
BZV55C4V3	Стабилитрон 0,5W 4,3V		39 918	1.10 >100 шт. 0.55
BZV55C4V3	Стабилитрон 0,5W 4,3V	NXP
BZV55C4V3	Стабилитрон 0,5W 4,3V	КИТАЙ
BZV55C4V3	Стабилитрон 0,5W 4,3V	HOTTECH	53 273	1.52
BZV55C4V3	Стабилитрон 0,5W 4,3V	KLS
BZV55C4V3	Стабилитрон 0,5W 4,3V	PANJIT
BZV55C4V3	Стабилитрон 0,5W 4,3V	YANGJIE
BZV55C4V3	Стабилитрон 0,5W 4,3V	LUGUANG	31 185	1.80 >100 шт. 0.90
ECAP 2200/10V 1021 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 10 В, 105 С	JAMICON
ECAP 2200/10V 1021 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 10 В, 105 С			28.80
ECAP 2200/10V 1021 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 10 В, 105 С	JAM
ECAP 2200/10V 1021 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 10 В, 105 С	JB
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W		2	635.04
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INTERNATIONAL RECTIFIER	204
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	ТАИЛАНД
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INFINEON
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	1
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	EVVO	9 404	8.62
MJE13009G	Транзистор биполярный	ON SEMICONDUCTOR
MJE13009G	Транзистор биполярный	ONS
MJE13009G	Транзистор биполярный			129.20
MJE13009G	Транзистор биполярный	ON SEMICONDUCTO