| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
DL4733A |
|
стабилитрон SMD 5.1В 1.0Вт
|
DC COMPONENTS
|
198 879
|
1.99
|
|
|
|
|
DL4733A |
|
стабилитрон SMD 5.1В 1.0Вт
|
|
5 040
|
1.56
|
|
|
|
|
DL4733A |
|
стабилитрон SMD 5.1В 1.0Вт
|
YJ
|
|
|
|
|
|
|
DL4733A |
|
стабилитрон SMD 5.1В 1.0Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
DL4733A |
|
стабилитрон SMD 5.1В 1.0Вт
|
LGE
|
1 520
|
4.13
|
|
|
|
|
DL4733A |
|
стабилитрон SMD 5.1В 1.0Вт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
DL4733A |
|
стабилитрон SMD 5.1В 1.0Вт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
DL4733A |
|
стабилитрон SMD 5.1В 1.0Вт
|
KLS
|
1 471
|
2.37
|
|
|
|
|
DL4733A |
|
стабилитрон SMD 5.1В 1.0Вт
|
KEEN SIDE
|
6 048
|
1.44
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
DC COMPONENTS
|
12 151
|
4.45
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
|
16 725
|
1.84
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
MIC
|
2 081
|
1.71
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
KOME
|
1 705
|
3.00
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
1
|
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
SUNTAN
|
1 303
|
2.62
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
KEEN SIDE
|
7 730
|
1.44
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
34.36
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
120
|
12.56
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|
|
|
|
TLP181GB-TPL[F] |
|
Оптрон с транзисторным выходом одноканальная 3.75кВ
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
TLP181GB-TPL[F] |
|
Оптрон с транзисторным выходом одноканальная 3.75кВ
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
TLP181GB-TPL[F] |
|
Оптрон с транзисторным выходом одноканальная 3.75кВ
|
|
|
28.00
|
|
|
|
|
TLP181GB-TPL[F] |
|
Оптрон с транзисторным выходом одноканальная 3.75кВ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
684
|
|
|
|
|
|
ЧИП ТАНТ. 16V 100UF 20% E |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
