| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
VISHAY
|
800
|
10.93
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
|
10 560
|
1.55
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
MOTOROLA
|
4
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
YJ
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
CTK
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
KEEN SIDE
|
17 044
|
1.13
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
19 673
|
2.12
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
230
|
1.41
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
7 400
|
1.46
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
1 324
|
1.16
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
8
|
3.14
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
104
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 920
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
2 593
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
21
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
32 398
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
6 208
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
36 000
|
1.06
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
144 007
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
26 714
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
6 694
|
1.17
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
XXW
|
50 918
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
50 804
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
14
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
6500
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ELZET
|
76 800
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
RUME
|
48 000
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TRR
|
67 200
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
DC COMPONENTS
|
11 920
|
4.35
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
|
14 725
|
1.84
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
MIC
|
1 136
|
1.65
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
KLS
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
KOME
|
1 840
|
2.91
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
1
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
SUNTAN
|
4 820
|
2.63
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
KEEN SIDE
|
7 050
|
1.40
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
|
44
|
55.50
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
SILICONIX
|
28
|
|
|
|
|
|
WF-06M |
|
|
|
52
|
3.64
|
|