Версия для печати
Технические характеристики IRF7389PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29 mOhm @ 5.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7.3A, 5.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	33nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	650pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF7309		Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	800	60.48
		IRF7309		Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...		1	63.00
		IRF7309		Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF7309		Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...	МАЛАЙЗИЯ
		IRF7309		Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...	INFINEON
		IRF7309		Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...	1
		IRF7389		Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF7389		Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W		2	635.04
		IRF7389		Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INTERNATIONAL RECTIFIER	204
		IRF7389		Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	ТАИЛАНД
		IRF7389		Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INFINEON
		IRF7389		Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	1
		IRF7389		Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	EVVO	9 204	6.20
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ON SEMICONDUCTOR
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ST MICROELECTRONICS
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ONS
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz		8	138.75
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ФИЛИППИНЫ
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ISC	3 063	57.33
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	VARIOUS
		MJE13009G		Транзистор биполярный	ON SEMICONDUCTOR
		MJE13009G		Транзистор биполярный	ONS
		MJE13009G		Транзистор биполярный			129.20
		MJE13009G		Транзистор биполярный	ON SEMICONDUCTO
		PQ30RV11		Стабилизатор 1.5-30V, 1A	SHARP
		PQ30RV11		Стабилизатор 1.5-30V, 1A			141.88
		PQ30RV11		Стабилизатор 1.5-30V, 1A	SHARP
		PQ30RV11		Стабилизатор 1.5-30V, 1A	SHARP MICROELECTRONICS
		PQ30RV11		Стабилизатор 1.5-30V, 1A	4-7 НЕДЕЛЬ	134

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"