Версия для печати
Технические характеристики IRF7389PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29 mOhm @ 5.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7.3A, 5.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	33nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	650pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF7309		Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	800	65.59
		IRF7309		Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...		1	63.00
		IRF7309		Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF7309		Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...	МАЛАЙЗИЯ
		IRF7309		Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...	INFINEON
		IRF7309		Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...	1
		IRF7389		Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF7389		Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W		2	635.04
		IRF7389		Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INTERNATIONAL RECTIFIER	204
		IRF7389		Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	ТАИЛАНД
		IRF7389		Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INFINEON
		IRF7389		Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	1
		IRF7389		Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	EVVO	8 990	5.88
		MJE13009G		Транзистор биполярный	ON SEMICONDUCTOR
		MJE13009G		Транзистор биполярный	ONS
		MJE13009G		Транзистор биполярный			129.20
		MJE13009G		Транзистор биполярный	ON SEMICONDUCTO
		PC817		Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V	SHARP
		PC817		Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V		4	20.35
		PC817		Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V	SHARP
		PC817		Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V	КИТАЙ
		PC817		Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V	FAIRCHILD
		PC817		Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V	4-7 НЕДЕЛЬ	281
		TDA7296		Усилитель низкой частоты DMOS, 2x30W (2x24V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x60W	ST MICROELECTRONICS
		TDA7296		Усилитель низкой частоты DMOS, 2x30W (2x24V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x60W		1	540.54
		TDA7296		Усилитель низкой частоты DMOS, 2x30W (2x24V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x60W	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TDA7296		Усилитель низкой частоты DMOS, 2x30W (2x24V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x60W	STMicroelectronics
		TDA7296		Усилитель низкой частоты DMOS, 2x30W (2x24V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x60W	ST MICROELECTRO
		TDA7296		Усилитель низкой частоты DMOS, 2x30W (2x24V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x60W	1
		TDA7296		Усилитель низкой частоты DMOS, 2x30W (2x24V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x60W	4-7 НЕДЕЛЬ	270

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"