|
Версия для печати
| Power - Max | 110W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1700pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 48nC @ 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 42A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 25A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
1206-2.2 1% |
|
ЧИП — резистор | 24 |
1.36 >100 шт. 0.68 |
|||
| 1206-8.2 5% |
|
ЧИП — резистор | 321 |
0.96 >500 шт. 0.32 |
||||
| 1206-9.1K 5% |
|
ЧИП — резистор | 176 |
0.96 >500 шт. 0.32 |
||||
|
|
|
L-3VEGW |
|
KINGBRIGHT |
|
|
||
|
|
|
L-3VEGW |
|
KGB | 27 016 | 13.63 | ||
|
|
|
L-3VEGW |
|
|
21.24 | |||
|
|
|
L-3VEGW |
|
KB |
|
|
||
|
|
|
L-3VEGW |
|
КИТАЙ |
|
|
||
| ЭНКОДЕР PEC11-4220F-S0024 | BOURNS |
|
|
|||||
| ЭНКОДЕР PEC11-4220F-S0024 | КИТАЙ |
|
|