IRF7101

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF7101		64.00

Версия для печати

Технические характеристики IRF7101

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	2 N-Channel (Dual)
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 1.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	320pF @ 15V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7101 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7101 datasheet
275.9 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1206-1.2 1%	ЧИП — резистор		72	1.44 >500 шт. 0.48
1206-2.2 1%	ЧИП — резистор		24	1.36 >100 шт. 0.68
1206-8.2 5%	ЧИП — резистор		321	0.96 >500 шт. 0.32
1206-9.1K 5%	ЧИП — резистор		176	0.96 >500 шт. 0.32
FDD6530A	20v n-channel powertrench mosfet	FAIR
FDD6530A	20v n-channel powertrench mosfet	FAIRCHILD
FDD6530A	20v n-channel powertrench mosfet			192.00
FDD6530A	20v n-channel powertrench mosfet	FAIRCHILD	1 336
FDD6530A	20v n-channel powertrench mosfet	Fairchild Semiconductor
FDD6530A	20v n-channel powertrench mosfet	ONS