|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5817 (1A 20V) |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS
|
3 251
|
9.15
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GOODWORK SEMICONDUCTER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
6 120
|
3.57
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIC
|
33 905
|
1.96
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YJ
|
17 328
|
2.37
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
3 692
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
21
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
80
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTRON
|
240
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YJ ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
КИТАЙ
|
480
|
3.15
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
43 351
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DIODES INC.
|
14
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MMC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
|
19 083
|
1.83
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
JY
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SUNTAN
|
3 275
|
3.09
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YANGJIE
|
16 000
|
2.34
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIС
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
1
|
|
|
|
|
|
SK050M1000B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 50 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
SK050M1000B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 50 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
SK050M1000B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 50 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SK050M1000B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 50 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SK050M1000B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 50 В
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
|
1 667
|
37.80
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
КРЕМНИЙ
|
400
|
28.35
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
БРЯНСК
|
2 555
|
37.80
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ЭЛЬТАВ
|
4 016
|
16.80
|
|
|
|
КЦ405А |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц
|
|
4 736
|
24.05
|
|
|
|
КЦ405А |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц
|
ЗОНД
|
|
|
|
|
|
КЦ405А |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц
|
ИЗОТОП
|
|
|
|
|
|
КЦ405А |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КЦ405А |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц
|
СЗТП
|
8
|
60.48
|
|
|
|
КЦ405А |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|