Версия для печати
Технические характеристики IRFB4310PBF

Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	130A
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 75A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs	250nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	7670pF @ 50V
Power - Max	300W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	FAI/QTC
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	FAIR
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	QTC	1 292	21.20
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	VISHAY	333	32.57
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%		18	35.15
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	FAIRCHILD	959	31.80
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	FAIRCHILD	14
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	Vishay/Semiconductors
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	Fairchild Optoelectronics Group
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	LITE-ON
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	EVLT
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	EVERLIGH
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	QT
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	EVERLIGHT
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	ONSEMICONDUCTOR
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	EVL
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	1
		CC0805KKX5R9BB475			YAGEO	71 922	1.78
		CC0805KKX5R9BB475
		CK45-B3DD102KYGNA			TDK	46 501	3.06
		CK45-B3DD102KYGNA			TDK EPCOS	6 400	5.17
		CK45-B3DD102KYGNA
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SHARP	15 068	8.27
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц		32	12.95
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	КИТАЙ
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	EVL
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SHARPLCD
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	MICRONE	3 593	3.08
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	EVERLLIGHT
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	CHE
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	YOUTAI	58 031	3.79
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	UMW-YOUTAI
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SLKOR	19 583	2.02
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	4-7 НЕДЕЛЬ	336
		RC0805FR-0710RL			YAGEO	354 619	0.75  >500 шт.   0.25
		RC0805FR-0710RL
		RC0805FR-0710RL			YAGEO

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"