Версия для печати
Технические характеристики SF16

Diode Type	Standard
Reverse Recovery Time (trr)	35ns
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	150V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	16A
Current - Reverse Leakage @ Vr	10µA @ 150V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	975mV @ 8A
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free by exemption / RoHS Compliant
Корпус	TO-220AB
Корпус (размер)	TO-220-3
Тип монтажа	Выводной
Diode Configuration	1 Pair Common Cathode
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

HY62SF16406E (Маломощная SRAM (4 Мб)) 256K x16 bit 1.65 ~ 2.3V Super Low Power FCMOS Slow SRAM Также в этом файле: HY62SF16406E-DFI, HY62SF16406E-I, HY62SF16406E-SFI Производитель: Hynix Semiconductor //www.hynix.com SF16 datasheet 191.26Kb 11стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - сборки

Синонимы от поставщиков: SF16 ; SF-16 ; SF 16 ; SF — 16 ; SF16 ; диод SF16 ;

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	9 136	6.21
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	7 121	4.30
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	635	13.27
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...		1 776	3.72
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	59 367	0.65  >1000 шт.   0.13
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	1.94  >100 шт.   0.97
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 580	1.08
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KEEN SIDE	312	1.54  >100 шт.   0.77
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MERRYELC	40	1.86  >100 шт.   0.93
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	5725
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	RUME	20 800	1.54  >100 шт.   0.77
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SLKOR	410	1.54  >100 шт.   0.77
		IR2110		PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR2110		PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14		2	186.00
		IR2110		PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14	МЕКСИКА
		IR2110		PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14	INFINEON
		IR2110		PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14	4-7 НЕДЕЛЬ
		IR2110PBF		Независимый драйверы верхнего и нижнего ключей. U= 500V Io+/- =2/2A t(on/of)= 120/94нс ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR2110PBF		Независимый драйверы верхнего и нижнего ключей. U= 500V Io+/- =2/2A t(on/of)= 120/94нс ...		380	199.53
		IR2110PBF		Независимый драйверы верхнего и нижнего ключей. U= 500V Io+/- =2/2A t(on/of)= 120/94нс ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR2110PBF		Независимый драйверы верхнего и нижнего ключей. U= 500V Io+/- =2/2A t(on/of)= 120/94нс ...	INFINEON	792	196.31
		IR2110PBF		Независимый драйверы верхнего и нижнего ключей. U= 500V Io+/- =2/2A t(on/of)= 120/94нс ...	INFINEON
		IR2110PBF		Независимый драйверы верхнего и нижнего ключей. U= 500V Io+/- =2/2A t(on/of)= 120/94нс ...	4-7 НЕДЕЛЬ
		PC817		Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V	SHARP
		PC817		Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V			35.36
		PC817		Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V	SHARP
		PC817		Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V	КИТАЙ
		PC817		Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V	FAIRCHILD
		PC817		Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V	4-7 НЕДЕЛЬ
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS INSTRUMENTS	80	40.60
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	MOTOROLA	52	40.60
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz		15	42.78
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS INSTRUMENTS
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	ON Semiconductor
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS INSTR
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	МАЛАЙЗИЯ
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	ONS
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS INSTRUMEN
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	1
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	JSMSEMI
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	4-7 НЕДЕЛЬ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"