IRF7205PBF
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 4.6A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 870pF @ 10V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B82432T1103K | EPCOS |
|
|
|||||
| B82432T1103K | EPCOS Inc |
|
|
|||||
| B82432T1103K |
|
|
||||||
| B82432T1103K | TDK |
|
|
|||||
| B82432T1103K | TDK-EPC |
|
|
|||||
| B82432T1103K | TDK EPCOS | 35 | 21.70 | |||||
 |
 |
CM322522-470KL |
|
ЧИП индуктивность 47мкГн, 1210, 7Ом, 10%, 15МГц | BOURNS |
|
|
|
|
|
|
CM322522-470KL |
|
ЧИП индуктивность 47мкГн, 1210, 7Ом, 10%, 15МГц |
|
|
||
| LQM21FN100N00L |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (L=10 uH +/-30%@F=1MHz, Idc=60 mA, R=0.5 Ohm +/-30%, ... | MURATA |
|
|
|||
| LQM21FN100N00L |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (L=10 uH +/-30%@F=1MHz, Idc=60 mA, R=0.5 Ohm +/-30%, ... | MUR |
|
|
|||
| LQM21FN100N00L |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (L=10 uH +/-30%@F=1MHz, Idc=60 mA, R=0.5 Ohm +/-30%, ... |
|
|
||||
| LQM21FN100N00L |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (L=10 uH +/-30%@F=1MHz, Idc=60 mA, R=0.5 Ohm +/-30%, ... | Murata Electronics North America |
|
|
|||
 |
|
SDR1006-330KL |
|
Индуктивность 33 мкГн SMD | BOURNS |
|
|
|
|
|
|
SDR1006-330KL |
|
Индуктивность 33 мкГн SMD |
|
56.00 | ||
 |
TNC-JR | 1 | 90.72 | |||||
|
|
TNC-JR | BM | 104 | 90.04 | ||||
|
|
TNC-JR | 1 | 90.72 |
