|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 4.6A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 870pF @ 10V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210 | BOURNS | 3 120 | 18.60 | |
|
|
|
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210 |
|
19.84 | ||
|
|
|
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210 | ВОURNS |
|
|
|
|
|
|
CM322522-470KL |
|
ЧИП индуктивность 47мкГн, 1210, 7Ом, 10%, 15МГц | BOURNS |
|
|
|
|
|
|
CM322522-470KL |
|
ЧИП индуктивность 47мкГн, 1210, 7Ом, 10%, 15МГц |
|
|
||
| G 738 СЕРЫЙ | GAINTA |
|
|
|||||
|
|
|
SDR1006-330KL |
|
Индуктивность 33 мкГн SMD | BOURNS |
|
|
|
|
|
|
SDR1006-330KL |
|
Индуктивность 33 мкГн SMD |
|
56.00 | ||
|
|
TNC-JR | 71 | 94.40 | |||||
|
|
TNC-JR | BM | 104 | 87.12 | ||||
|
|
TNC-JR | 71 | 94.40 |