| Корпус (размер) | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Тип осцилятора | Internal |
| Преобразователи данных | A/D 11x10b |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2 V ~ 5.5 V |
| Размер памяти | 256 x 8 |
| EEPROM Size | 256 x 8 |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер программируемой памяти | 7KB (4K x 14) |
| Число вводов/выводов | 24 |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
| Подключения | I²C, SPI, UART/USART |
| Скорость | 20MHz |
| Размер ядра | 8-Bit |
| Серия | PIC® 16F |
| Процессор | PIC |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BFG540/X,215 |
|
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
BFG540/X,215 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BFG540/X,215 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CC0805JRNPO9BN220 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 22 пФ, NPO,200В, (5%), 0805
|
|
|
4.48
|
|
|
|
|
CC0805JRNPO9BN220 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 22 пФ, NPO,200В, (5%), 0805
|
YAGEO
|
494 883
|
0.87
>500 шт. 0.29
|
|
|
|
|
CC0805JRNPO9BN220 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 22 пФ, NPO,200В, (5%), 0805
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
CR54NP-220MC |
|
|
SUMIDA
|
|
|
|
|
|
|
CR54NP-220MC |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CR54NP-220MC |
|
|
SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC
|
22 614
|
2.49
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JIANGSU CHANJIANG ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES INC.
|
16
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIRCHILD
|
48
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
|
48 888
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
HOTTECH
|
36 908
|
1.67
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
YJ
|
45 938
|
1.25
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JSCJ
|
23 042
|
1.20
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ASEMI
|
6 703
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
|
SN74LVC1G00DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
5
|
17.56
|
|
|
|
|
SN74LVC1G00DBVR |
|
|
|
6 456
|
5.30
|
|
|
|
|
SN74LVC1G00DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
2 598
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G00DBVR |
|
|
TEXAS
|
12 056
|
8.64
|
|
|
|
|
SN74LVC1G00DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G00DBVR |
|
|
YOUTAI
|
32 948
|
3.19
|
|
|
|
|
SN74LVC1G00DBVR |
|
|
UMW-YOUTAI
|
1 979
|
4.28
|
|
|
|
|
SN74LVC1G00DBVR |
|
|
UMW
|
960
|
5.17
|
|
|
|
|
SN74LVC1G00DBVR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
293
|
|
|
Версия для печати
