| Корпус (размер) | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Тип осцилятора | Internal |
| Преобразователи данных | A/D 11x10b |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2 V ~ 5.5 V |
| Размер памяти | 256 x 8 |
| EEPROM Size | 256 x 8 |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер программируемой памяти | 7KB (4K x 14) |
| Число вводов/выводов | 24 |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
| Подключения | I²C, SPI, UART/USART |
| Скорость | 20MHz |
| Размер ядра | 8-Bit |
| Серия | PIC® 16F |
| Процессор | PIC |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BFG540/X,215 |
|
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
BFG540/X,215 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BFG540/X,215 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CC0805JRNPO9BN220 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 22 пФ, NPO,200В, (5%), 0805
|
|
|
4.48
|
|
|
|
|
CC0805JRNPO9BN220 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 22 пФ, NPO,200В, (5%), 0805
|
YAGEO
|
12 271
|
12.08
|
|
|
|
|
CC0805JRNPO9BN220 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 22 пФ, NPO,200В, (5%), 0805
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
CR54NP-220MC |
|
|
SUMIDA
|
|
|
|
|
|
|
CR54NP-220MC |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CR54NP-220MC |
|
|
SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC
|
21 503
|
2.43
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JIANGSU CHANJIANG ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES INC.
|
16
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIRCHILD
|
48
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
|
43 560
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
HOTTECH
|
70
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
YJ
|
16 508
|
1.01
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JSCJ
|
22 592
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ASEMI
|
5 841
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
KEEN SIDE
|
7 722
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
|
SN74LVC1G00DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
36
|
5.89
|
|
|
|
|
SN74LVC1G00DBVR |
|
|
|
6 056
|
5.39
|
|
|
|
|
SN74LVC1G00DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
2 598
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G00DBVR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G00DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G00DBVR |
|
|
YOUTAI
|
71 728
|
3.74
|
|
|
|
|
SN74LVC1G00DBVR |
|
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G00DBVR |
|
|
UMW
|
960
|
5.17
|
|
|
|
|
SN74LVC1G00DBVR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
293
|
|
|
Версия для печати
