IRF1010EPBF
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 84A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 50A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3210pF @ 25V |
| Power - Max | 200W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C503D-WAN-CBBDB151 | CREE |
|
|
|||||
| C503D-WAN-CBBDB151 | Cree Inc |
|
|
|||||
| C503D-WAN-CBBDB151 |
|
60.36 | ||||||
| C503D-WAN-CCBDB231 | CREE |
|
|
|||||
| C503D-WAN-CCBDB231 |
|
58.00 | ||||||
| C503D-WAN-CCBDB231 | Cree Inc |
|
|
|||||
 |
 |
STP55NF06 |
|
Полевой транзистор | ST MICROELECTRONICS | 3 420 | 49.90 | |
|
|
|
STP55NF06 |
|
Полевой транзистор | 580 | 45.89 | ||
|
|
|
STP55NF06 |
|
Полевой транзистор | ST MICROELECTRONICS SEMI | 1 |
|
|
|
|
|
STP55NF06 |
|
Полевой транзистор | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STP55NF06 |
|
Полевой транзистор | ФИЛИППИНЫ |
|
|
|
|
|
|
STP55NF06 |
|
Полевой транзистор | ST MICROELECTRO |
|
|
|
| STPR1520D DIODE ULT FAST | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| TL780-15CKC | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TL780-15CKC | TEXAS INSTRUMENTS | 17 |
|
