| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Power - Max | 625mW |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Корпус | TO-92-3 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
1N4743A |
|
Стабилитрон 13В, 1Вт
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4743A |
|
Стабилитрон 13В, 1Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N4743A |
|
Стабилитрон 13В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
1N4743A |
|
Стабилитрон 13В, 1Вт
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
1N4743A |
|
Стабилитрон 13В, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
6 102
|
1.55
|
|
|
|
|
1N4743A |
|
Стабилитрон 13В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
1N4743A |
|
Стабилитрон 13В, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
1N4743A |
|
Стабилитрон 13В, 1Вт
|
|
4 823
|
2.05
|
|
|
|
|
1N4743A |
|
Стабилитрон 13В, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
200
|
|
|
|
|
|
1N4743A |
|
Стабилитрон 13В, 1Вт
|
MOTOROLA
|
312
|
|
|
|
|
|
1N4743A |
|
Стабилитрон 13В, 1Вт
|
NXP
|
5 000
|
|
|
|
|
|
1N4743A |
|
Стабилитрон 13В, 1Вт
|
PHILIPS
|
16 436
|
|
|
|
|
|
1N4743A |
|
Стабилитрон 13В, 1Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
1N4743A |
|
Стабилитрон 13В, 1Вт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
1N4743A |
|
Стабилитрон 13В, 1Вт
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
|
1N4743A |
|
Стабилитрон 13В, 1Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
1N4743A |
|
Стабилитрон 13В, 1Вт
|
KEISUM
|
112
|
5.17
|
|
|
|
|
1N4743A |
|
Стабилитрон 13В, 1Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
|
1N4743A |
|
Стабилитрон 13В, 1Вт
|
XINYA
|
24
|
56.70
|
|
|
|
|
1N4743A |
|
Стабилитрон 13В, 1Вт
|
KEEN SIDE
|
18 156
|
1.17
|
|
|
|
|
IRFB31N20DPBF |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFB31N20DPBF |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFB31N20DPBF |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R
|
|
|
|
|
|
|
|
IRFB31N20DPBF |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R
|
INFINEON
|
3
|
331.24
|
|
|
|
|
LM35DZ |
|
Прецизионный датчик температуры, диапазон 0 to 100°C
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM35DZ |
|
Прецизионный датчик температуры, диапазон 0 to 100°C
|
|
|
88.04
|
|
|
|
|
LM35DZ |
|
Прецизионный датчик температуры, диапазон 0 to 100°C
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM35DZ |
|
Прецизионный датчик температуры, диапазон 0 to 100°C
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM35DZ |
|
Прецизионный датчик температуры, диапазон 0 to 100°C
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
LM35DZ |
|
Прецизионный датчик температуры, диапазон 0 to 100°C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM35DZ |
|
Прецизионный датчик температуры, диапазон 0 to 100°C
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM35DZ |
|
Прецизионный датчик температуры, диапазон 0 to 100°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
312
|
|
|
|
|
|
MMBD914LT1G |
|
Полупроводниковый компонент, SOT23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBD914LT1G |
|
Полупроводниковый компонент, SOT23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
6 820
|
|
|
|
|
|
MMBD914LT1G |
|
Полупроводниковый компонент, SOT23
|
|
|
|
|
|
|
|
MMBD914LT1G |
|
Полупроводниковый компонент, SOT23
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MPSA06 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
MPSA06 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MPSA06 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
MICRO POWER SYSTEMS INC
|
|
|
|
|
|
|
MPSA06 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
MPSA06 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MPSA06 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MPSA06 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
MPSA06 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
MPSA06 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
FAIRCHILD
|
17
|
|
|
|
|
|
MPSA06 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
MICRO POWER SYSTEMS INC
|
|
|
|
|
|
|
MPSA06 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
MPSA06 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MPSA06 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
MPSA06 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
ON SEMICONDUCTOR
|
48
|
|
|
|
|
|
MPSA06 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
MPSA06 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
MPSA06 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MPSA06 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MPSA06 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
|
4
|
5.80
|
|
Версия для печати
