FSD210H

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FSD210H	1	207.90

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
FSD210H (=FSDH0165)		КИТАЙ
STTH6003CW	Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс	ST MICROELECTRONICS	4	283.50
STTH6003CW	Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс		2 207	345.95
STTH6003CW	Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс	ST MICROELECTRONICS SEMI
STTH6003CW	Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс	STMicroelectronics
STTH6003CW	Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс	ST1
STTH6003CW	Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс	ST MICROELECTRO
STTH6003CW	Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс	STMICROELECTR
STTH6003CW	Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс	1
TEA1532AT		NXP
TEA1532AT		КИТАЙ
TEA1532AT
TEA1532AT		4-7 НЕДЕЛЬ	700
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP		460	32.02
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	КРЕМНИЙ	1 982	28.35
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	ТРАНЗИСТОР
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	БРЯНСК	10 225	37.80
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	МИНСК
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	RUS
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	ИНТЕГРАЛ
КТ817Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный		1 487	28.52
КТ817Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	1 600	28.35
КТ817Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ817Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	14 577	33.60
КТ817Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	RUS
КТ817Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ