Версия для печати
Технические характеристики 293D106X9020B2TE3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TANTAMOUNT® 293D
Емкость	10µF
Номинальное напряжение	20V
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
ESR (Equivalent Series Resistance)	2.100 Ohm
Тип	Molded
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	1210 (3528 Metric)
Size / Dimension	0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm)
Высота	0.083" (2.11mm)
Manufacturer Size Code	B
Возможности	General Purpose

Танталовый ЧИП конденсатор 150 мкФ, 16В, тип D, 10% 293D106X9020B2TE3 datasheet 609,48kB 24стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Электролитический танталовый

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP	2 648	2.12
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DC COMPONENTS	17 537	1.46
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DIOTEC	15 754	3.69
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ES
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS	486
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	STMicroelectronics
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	КИТАЙ
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	INFINEON TECH
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY ME
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	HOTTECH	293 472	1.56  >100 шт.   0.78
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...		16 437	1.54  >100 шт.   0.77
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	LRC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KLS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KOME	1	1.55
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	SUNTAN	4 927	1.56  >100 шт.   0.78
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NEX-NXP	112	3.10
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YJ	70 234	1.64  >100 шт.   0.82
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	TRR	60 000	1.26  >500 шт.   0.42
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	XXW	189 588	1.35  >500 шт.   0.45
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	CTK	160	1.48  >100 шт.   0.74
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KEEN SIDE	8 600	1.05  >500 шт.   0.35
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	MERRYELC	246 080	1.12  >100 шт.   0.56
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE	1 900	1.23  >500 шт.   0.41
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	2375
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	935
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DAYA	4 800	1.48
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KEXIN	4 800	1.48
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ZITEK	4 800	1.48
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	NXP	6 612	4.70
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	PHILIPS
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт		15 696	2.46
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	NXP
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	PHILIPS	160
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	ГОНКОНГ
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	КИТАЙ
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	320	12.95
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	HOTTECH	30 444	2.29
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	0.00
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	DIOTEC	3 760	7.85
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	ASEMI
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	YJ	55 095	3.25
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	KOME	1 004	4.44
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	SUNTAN	124	2.71
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	XSEMI	1 136	2.92
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	NXP/NEXPERIA	4 992	5.78
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	KEEN SIDE	552	1.88
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	2000
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	3265
		CC0805JRX7R9BB223		Керамический конденсатор 0.022 мкФ 50 В	YAGEO	155 015	1.06  >100 шт.   0.53
		CC0805JRX7R9BB223		Керамический конденсатор 0.022 мкФ 50 В
		CC1206KKX7R9BB224		Керамический ЧИП конденсатор 0.22 мкФ X7R (10%) 1206	YAGEO	102 010	1.78  >100 шт.   0.89
		CC1206KKX7R9BB224		Керамический ЧИП конденсатор 0.22 мкФ X7R (10%) 1206			13.36
		CC1206KKX7R9BB224		Керамический ЧИП конденсатор 0.22 мкФ X7R (10%) 1206	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CC1206KKX7R9BB224		Керамический ЧИП конденсатор 0.22 мкФ X7R (10%) 1206	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		RC1206JR-07820KL			YAGEO	77 252	1.00  >1000 шт.   0.20
		RC1206JR-07820KL			YAGEO
		RC1206JR-07820KL

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"