FDA24N40F


400v n-channel mosfet, frfet

Купить FDA24N40F ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FDA24N40F
Версия для печати

Технические характеристики FDA24N40F

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияUniFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs190 mOhm @ 11.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)400V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C23A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds3030pF @ 25V
Power - Max235W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-3PN
КорпусTO-3PN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDA24N40F (MOSFET)

400V N-Channel MOSFET, FRFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDA24N40F datasheet
687.2 Кб

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
  IR21844S Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=1.4A/1.8A, Тбл=500нс   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
  IR21844S Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=1.4A/1.8A, Тбл=500нс     Заказ радиодеталей 483.24 
  IR21844S Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=1.4A/1.8A, Тбл=500нс   INTERNATIONAL RECTIFIER 12 цена радиодетали
  IR21844S Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=1.4A/1.8A, Тбл=500нс   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
  IR21844S Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=1.4A/1.8A, Тбл=500нс   4-7 НЕДЕЛЬ 84 цена радиодетали
IRFP064N Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт   INTERNATIONAL RECTIFIER 345 123.05 
IRFP064N Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт     847 107.74 
IRFP064N Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт   ФИЛИППИНЫ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP064N Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP064N Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP064N Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт   EVVO 1 196 72.79 
IRFP064N Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт   JSMICRO 1 336 112.55 
IRFP064NPBF Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP064NPBF Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт   INFINEON 6 216 102.44 
IRFP064NPBF Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт     112 83.85 
IRFP1405 Hexfet power mosfets discrete n-channel   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP1405 Hexfet power mosfets discrete n-channel     480 91.83 
IRFP1405 Hexfet power mosfets discrete n-channel   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
  LM5110-1M     NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  LM5110-1M     NSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
  LM5110-1M       Заказ радиодеталей 144.56 
  LM5110-1M     КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
  LM5110-1M     NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  LM5110-1M     TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  LM5110-1M     4-7 НЕДЕЛЬ 157 цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход