Версия для печати
Технические характеристики SH016M0100A2F-0511

Производитель	Yageo Corporation
Допуск емкости	±20%
Номинальное напряжение	16 В
Емкость	100 мкФ
Ток утечки	19 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь	0.18
Максимальный ток пульсаций	0.115 А
Шаг выводов	2 мм
Срок службы	2000 Ч
Размер корпуса	ф 5x11
Рабочая температура	-40...105 °C
	For General
Серия	SH
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	FAIR
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	NXP
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	PHILIPS
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	ROHM
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800		8	21.42
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	DIOTEC	2 099	1.28
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	ON SEMICONDUCTOR
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	FAIRCHILD
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	ONS
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	FAIRCHILD
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	PHILIPS	15 324
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	ROHM
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	PHILIPS SEMIC
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	ГЕРМАНИЯ
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	NXP	1 323
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	SEMTECH	1	1.74
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	NEX-NXP
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	1
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	KOME	845	1.78
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	SUNTAN	9 245	1.20  >100 шт.   0.60
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	KEEN SIDE	12 917	1.41  >500 шт.   0.47
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...	ST MICROELECTRONICS	3 052	13.52
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...	UTC
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...		1 321	21.33
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...	ST MICROELECTRONICS SEMI	3 941
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...	STMicroelectronics
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...	4-7 НЕДЕЛЬ	64
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...	180
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD	ON SEMICONDUCTOR
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD		103	15.12
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD	ONS	91 500	1.64
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD	ON SEMICONDUCTOR	5 858
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD	ON SEMICONDUCTO
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD	ONSEMICONDUCTOR
		SH025M0010B2F-0511		Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 25 В	YAGEO
		SH025M0010B2F-0511		Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 25 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SH025M0010B2F-0511		Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 25 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SH050M2R20B2F-0511		Электролитический алюминиевый конденсатор 2.2 мкФ 50 В	YAGEO
		SH050M2R20B2F-0511		Электролитический алюминиевый конденсатор 2.2 мкФ 50 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SH050M2R20B2F-0511		Электролитический алюминиевый конденсатор 2.2 мкФ 50 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"